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電子發燒友網>存儲技術>還沒用上HBM2E?HBM3要來了

還沒用上HBM2E?HBM3要來了

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美光執行副總裁兼首席商務官薩達納(Sumit Sadana)稱,公司已實現HBM3E的市場首發和卓越性能,同時能耗具有顯著優勢,使公司在AI加速領域穩占先機。他還強調,美光擁有業界頂尖的HBM3EHBM4路線圖,DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42841

三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:001583

三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820

AMD MI300加速器將支持HBM3E內存

據手機資訊網站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內存模塊,并面向HBM3E進行了重新設計。另外,該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應商建立了穩固的聯系,同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。
2024-02-27 15:45:051327

HBM、HBM2、HBM3HBM3e技術對比

AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發,且伴隨服務器平均HBM容量增加,經測算,預期25年市場規模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003

美光開始量產行業領先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發展

HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493

美光量產行業領先的HBM3E解決方案,加速人工智能發展

2024 年 3?月 4?日全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:411886

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領域龍頭地位?

這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:502320

SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位

SK海力士作為HBM3E的首發玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675

什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核

Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681

英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406

NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存

據悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989

三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917

HBM3E起飛,沖鋒戰鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內存架構,迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產品的優秀特性,更在技術上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數據路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行,實現了高達819 Gb/s的帶寬,為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:103381

韓美半導體新款TC鍵合機助力HBM市場擴張

TC鍵合機作為一種應用熱壓技術將芯片與電路板連接的設備,近年來廣泛應用于HBM3EHBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

HBM供應商議價提前,2025年HBM產能產值或超DRAM 3

 至于為何供應商提前議價,吳雅婷解釋道,首先,HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買家期望獲得品質穩定的貨源;
2024-05-07 09:33:191068

三星電子組建HBM4獨立團隊,力爭奪回HBM市場領導地位

具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199

傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證

三星電子近期正積極投入驗證工作,以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而,業界傳出消息,因臺積電在采用標準上存在的某些問題,導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918

SK海力士HBM3E內存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108

SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:311726

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術

據最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術。這一合作預示著隨著自動駕駛技術的日益普及,HBM不僅將在人工智能(AI)服務器領域大放異彩,更將逐漸滲透至汽車芯片市場,成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040

SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645

三星電子HBM3E商業化遇阻,或重新設計1a DRAM電路

近日,業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士發布HBM3e 16hi產品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉,該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

美光發布HBM4與HBM4E項目新進展

近日,據報道,全球知名半導體公司美光科技發布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內存)和HBM4E項目的最新研發進展。 據悉,美光科技的下一代HBM4內存將采用
2024-12-23 14:20:391377

三星電子將供應改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發展動態。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106

三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應

其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測,三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3HBM3EHBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發,從規格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:136874

風景獨好?12層HBM3E量產,16層HBM3E在研,產業鏈涌動

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)在早前的報道中,對于HBM產能是否即將過剩,業界有不同的聲音,但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產品升級的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進展 ? 9月26日SK
2024-10-06 01:03:005496

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