-HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內存帶寬

　　加利福尼亞州山景城2021年10月22日 /美通社/ --

　　要點：

• 　　DesignWare HBM3控制器、PHY和驗證IP能夠降低集成風險，極大提高了2.5D多裸晶芯片系統的內存性能
• 　　具有靈活配置選項的低延遲HBM3控制器可增強內存帶寬
• 　　在5納米工藝中，預硬化或可配置HBM3 PHY的工作速率為7，200 Mbps，數據速率高達2倍，與HBM2E相比，功率效率可提高60%
• 　　針對ZeBu和HAPS的驗證IP和內存模型可提供端到端解決方案，能夠實現從IP到SoC的快速驗證收斂
• 　　新思科技的3DIC Compiler是一個集成式多裸晶芯片設計和分析平臺，提供了全面的HBM3自動布線解決方案，可實現快速而穩健的設計開發

　　新思科技（Synopsys， Inc.，納斯達克：SNPS）近日宣布推出行業首個完整的HBM3 IP解決方案，包括用于2.5D多裸晶芯片封裝系統的控制器、PHY和驗證IP 。HBM3技術可幫助開發者滿足高性能計算、AI和圖形應用的片上系統（SoC）設計對高帶寬和低功耗內存的要求。新思科技的DesignWare? HBM3控制器和PHY IP以經過硅驗證的HBM2E IP為基礎，充分利用新思科技的中介層專業知識，能夠提供低風險解決方案，從而實現高達921GB/s的內存帶寬。

　　新思科技驗證解決方案包括具有內置覆蓋率和驗證計劃的驗證IP、用于ZeBu?仿真的現成HBM3內存模型以及HAPS?原型驗證系統，可加快從HBM3 IP到SoC的驗證速度。為加速HBM3系統設計的開發，新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片設計平臺提供了一個完全集成的架構探索、實施和系統級分析解決方案。

　　新思科技DesignWare HBM3控制器IP支持各種基于HBM3的具有靈活配置選項的系統。該控制器可極大減少延遲并優化數據完整性，具有先進的RAS特性，包括糾錯碼、刷新管理和奇偶校驗。

　　DesignWare HBM3 PHY IP采用5納米工藝，可提供預硬化或客戶可配置的PHY，每引腳的運行速度高達7，200Mbps，顯著提升了功耗效率，并支持多達四個有效工作狀態，從而實現動態頻率調節。DesignWare HBM3 PHY利用優化的micro bump陣列以盡可能減少占位面積。基于其對中介層繞線長度的支持，開發者可以更加靈活地安排PHY，而不會影響性能。

　　新思科技面向HBM3的驗證IP使用新一代原生型SystemVerilog Universal Verification Methodology （UVM）架構，簡化現有驗證環境的整合難度，支持更多測試運行，從而縮短首次測試需要的時間。用于ZeBu仿真和HAPS原型驗證系統的現成HBM3內存模型可實現RTL和軟件驗證，從而實現更高水平的性能。

　　新思科技營銷和戰略高級副總裁John Koeter表示：“新思科技不斷滿足數據密集型SoC的設計和驗證要求，為HBM3、DDR5和LPDDR5等領先協議提供高質量的內存接口IP和驗證解決方案。完整的HBM3 IP和驗證解決方案讓開發者可以依賴同一家供應商，就可以滿足日益增長的帶寬、延遲和功耗要求，同時加速驗證收斂。”

　　新思科技廣泛的DesignWare IP組合包括邏輯庫、嵌入式存儲器、PVT傳感器、嵌入式測試、模擬IP、接口IP、安全IP、嵌入式處理器以及子系統。為了加速原型設計、軟件開發以及將IP核整合進芯片，新思科技“IP Accelerated”計劃提供IP核原型設計套件、IP核軟件開發套件和IP核子系統。我們在IP質量和全面技術支持方面進行了大量投資，以協助開發者降低集成風險，縮短產品上市時間。

　　客戶和合作伙伴證言

　　美光公司（Micron）高性能存儲器和網絡業務副總裁兼總經理Mark Montierth表示：“Micron致力于為世界上最先進的計算系統提供業界性能最佳的解決方案。HBM3所提供的內存帶寬對實現下一代高性能計算、人工智能和百萬兆級系統至關重要。我們與新思科技的合作將加速HBM3產品生態系統的發展，以實現前所未有的超高帶寬、功耗和性能。”

　　三星電子內存產品規劃高級副總裁Kwangil Park表示：“在數據驅動的計算時代，人工智能、高性能計算、圖形和其他應用程序的發展極大提高了對內存帶寬的需求。作為世界領先的內存芯片制造商，三星一直致力于支持生態系統的形成，并開發HBM以滿足所有應用不斷增長的帶寬需求。新思科技是HBM行業的生態系統先驅，也是三星的重要合作伙伴。我們期待與新思攜手繼續為客戶提供更好的HBM性能。”

　　海士力（SK hynix）公司副總裁、HBM產品負責人兼DRAM設計主管Cheol Kyu Park Hyun 表示：“作為全球領先的半導體制造商，海士力不斷投資開發包括HBM3 DRAM在內的下一代內存技術，以滿足AI和圖形應用工作負載的指數式增長所帶來的需求。與新思科技建立長期合作關系，有助于我們為共同客戶提供經過全面測試和可互操作的HBM3解決方案，以提高內存性能、容量和吞吐量。”

　　Socionext數據中心和網絡業務部門副總裁Yutaka Hayashi表示：“全球SoC解決方案領先企業Socionext與行業領先合作伙伴新思科技攜手合作，為我們在廣泛市場的共同客戶提供全面解決方案 。基于新思科技在5納米制程方面的HBM2E IP和集成式全系統多裸晶芯片設計平臺，我們與新思科技的合作將得以擴展，包括最新的DesignWare HBM3 IP和驗證解決方案，從而協助我們的客戶在HBM3規范的SOC方面實現更高的內存性能和容量。”

　　供貨情況和資源

　　新思科技DesignWare HBM3控制器、PHY和驗證IP以及ZeBu仿真內存模型、HAPS原型設計系統和3DIC Compiler目前有現貨供應。