SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6585 ，2019年12月提升為開發制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關人士表示：SK海力士首席執
2019-12-07 00:53:004759 最新消息，SK海力士將在2020年消費電子展（CES）上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:394178 美國對中國的科技封鎖進一步加強。5月23日凌晨，美國商務部工業和安全局突然宣布，將東方網力等33家中國公司及機構列為“實體清單”。5月24日晚間，東方網力、華孚時尚等上市公司相繼發布公告稱，不會對公司的日常經營產生實質性影響。
2020-05-25 09:17:1213919 ，隨即開始加強在中國晶圓代工事業的布局。而其中的重點，就是將 SK 海力士旗下負責晶圓代工的子公司 SK Hynix System IC，其為在南韓清州的代工廠設備出售給 SK 海力士與中國企業合資的公司，以持續進行該公司部屬中國的計劃。
2020-11-11 10:12:403651 據韓媒報導，SK海力士將向德國汽車零部件巨頭博世（Bosch）提供汽車存儲芯片。知情人士表示，SK海力士目前正在草擬獨家供應合同的草案。 ? 博世公司相關負責人去年曾參觀了SK海力士在韓國的工廠，并
2021-04-06 10:25:017590 4月16日消息 據悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據稱，SK海力士已完成了符合博世要求規格的內存芯片的開發。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 近日，SK海力士官網發布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術進行DRAM量產
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472160 
SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”1）。
2022-02-16 11:04:511957 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:004812 
1. 韓國：三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可，無需單獨批準即可獲取芯片制造設備 ? 據報道，韓國總統辦公室周一宣布，美國政府決定無限期延長對三星電子和 SK 海力士公司在華工廠進口美國
2023-10-10 10:59:131480 
五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
2023-10-25 18:25:244379 
將于3月28日生效。 ? 在其中的一份文件中，美國商務部將一系列與中國AI大模型開發、服務器以及超級計算機產業的12家公司列入“實體清單”，包括北京智源人工智能研究院、寧暢信息產業、中科可控旗下的服務器品牌Suma，以及浪潮信息在中國內地以及港臺
2025-03-26 11:15:391285 電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃，該技術將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212450 
SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
最新Gartner的統計顯示，有4家中國公司躋身全球十大芯片采購商之列，分別是華為、聯想、小米、步步高(Vivo和OPPO)。其中華為2018年半導體采購支出超過210億美元，全球排名冠亞季軍分別為
2021-07-29 08:17:54
SK 海力士周一發布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內存芯片密度是全球最高，功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 據市場分析，GPU業者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續上揚，三星、SK海力士相繼量產HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 據路透社報道，韓國SK海力士今日表示，將投資1070億美元建設四家工廠。報道稱，SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領先國家的背景下，繼續保持競爭力。
2019-02-22 14:24:444580 SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 據路透社消息，美國宣布對11家外國公司以及3名個人實施制裁，指控他們違反美國對伊制裁，幫助伊朗出口石油、石油產品及石化產品，其中涉及6家中國公司（5家為香港注冊公司，1家為內地公司）以及2名中國個人。
2020-11-05 10:14:093210 達到 415 萬平方米，計劃主要生產 DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠，每個月產量為 80 萬片。 IT之家此前報道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內開發 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492778 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片，可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數據，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142676 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915867 SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產品HBM31，公司不僅又一次創造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'， www.skhynix.com )今日宣布成功開發出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:312118 熱點新聞 1、三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期” 據最新報道，美國拜登政府已經向韓國領先的芯片公司發出信號，表示將延長允許它們將美國芯片制造設備運往中國的許可，稱這是對盟友的讓步，也是
2023-05-11 20:16:371376 
Corp. 周四的數據，美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額，比上一季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士，后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184 sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471 據業界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021511 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471994 sk海力士表示：“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎，成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491810 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676 與此同時，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:131515 隨著ai產業的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039 SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加，公司業績開始持續改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現良好。因此與上一季度相比，營業收入增長了24%，營業虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25865 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現出強大的增長勢頭。數據顯示，公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產高帶寬內存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現已提前調整產量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發，并且已經通過了英偉達
2024-02-25 11:22:211656 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441799 SK海力士作為HBM3E的首發玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業務方面進行了重大的戰略調整。據相關報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業務布局，計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業務重心全面轉移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252164 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源，SK海力士將進一步提升存儲器產品性能，實現新的突破。
2024-04-19 09:28:041159 自 HBM3E（第五代 HBM 產品）起，SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產品）開始，該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071379 4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產 HBM4。 根據雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標是改善
2024-04-20 08:36:51492 HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可能在下半年出現短缺現象。
2024-04-25 14:45:071054 SK海力士最近透露，預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲，以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內存（HBM）芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術的蓬勃發展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 據業內人士預計，HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產下一代HBM（高帶寬內存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續布線工藝（BEOL），確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 據報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171890 然而，全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內存獨家供應商，且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品，進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄，顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221513 在全球半導體產業風起云涌的當下，SK海力士再次展現出其前瞻性和決斷力。據行業內部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 ）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291747 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221479 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業的領軍企業，正嚴陣以待，積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:591061 在半導體行業日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現其前瞻布局與技術創新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務（OSAT）大廠Amkor就硅中介層（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511224 近日，據外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%，這一舉動在業界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張，對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461519 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模，顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設備供應商合作，訂購了關鍵生產設備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內存）及通用DRAM內存方面的生產能力。
2024-08-16 17:32:241924 SK海力士宣布了一項重大技術突破，成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩坐行業領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361646 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄，為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311992 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內率先實現12層堆疊HBM3E的量產，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術領域的持續領先地位。這款新品不僅將HBM產品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應用所需的速度、容量及穩定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171177 在9月25日（當地時間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業盛會上，SK海力士發布的一項關于其高帶寬內存（HBM）的驚人數據——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數據揭示了SK海力士在HBM生產效率上的巨大優勢。
2024-10-08 16:19:321679 和卓越的研發能力，已經提前開發出48GB 16層HBM3E產品。這一舉措不僅展現了SK海力士的技術實力，更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201233 限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品，該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉，該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品，這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915 
近日，SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存（HBM）的DRAM產能，目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310 列入貿易限制名單，也對SK海力士的決策產生了影響。業內普遍預測，SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件，而三星電子也可能緊隨其后，做出類似決定。 若SK海力士與三星電子真的停用中國EDA軟件，它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強，這將
2025-02-18 10:51:541081 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313696 
海力士宣布公司已開始量產12H HBM3E芯片，實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現與現有的8層產品相同的厚度，同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496 
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