SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6585 據(jù)韓媒報道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004759 業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。公司預(yù)計從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:065594 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 的適用范圍隨后將通過超高性能的攝像軟件與人工智能等最新技術(shù)的支持陸續(xù)擴(kuò)大。 SK海力士相關(guān)人士表示：“18GB LPDDR5 移動端DRAM與此前16GB產(chǎn)品相比具備更大的容量，有效提升了數(shù)據(jù)臨時存儲空間。” 此次量產(chǎn)的產(chǎn)品處理速度高達(dá)6400Mb/s，與至今搭載于智能手機(jī)的
2021-03-08 15:03:173190 近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472160 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244380 
售罄。” ? 值得注意的是，此前市場研究機(jī)構(gòu)Yolo Group報告指出，2023年HBM芯片的平均售價是傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存芯片的五倍。然而，市場熱度在AIGC的帶動下依然有增無減。 ? SK海力士靠
2024-02-28 00:16:003829 技術(shù)的獨家供應(yīng)商。 ? 由于汽車對車用芯片更嚴(yán)格的品質(zhì)要求，SK海力士已單獨生產(chǎn)專門用于汽車用途的HBM2E，這也是目前唯一一家將HBM用于汽車的公司。 ? 我們知道HBM芯片對于現(xiàn)今AI拉動的高性能計算和數(shù)據(jù)中心已成為必須，隨著HBM2E開始用于汽車，滿足智能駕駛不斷產(chǎn)生的計算需求，這
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2021-01-29 17:52:55
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM，目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制
2018-11-12 18:04:02533 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀(jì)錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:131058 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491323 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 7月2日消息，據(jù)外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 幾個月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列。現(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:012830 為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬，HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:133266 
據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543206 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142677 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性，命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:332450 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021512 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491810 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 與此同時，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131516 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 sk海力士負(fù)責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量。”sk海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達(dá)，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493 SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌，SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051541 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌，SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競爭對手三星電子，躍居韓國第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441800 在人工智能這一科技浪潮的推動下，高帶寬存儲芯片（HBM）已成為市場競逐的焦點。作為半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，SK海力士敏銳地捕捉到了這一重要機(jī)遇，并決定加大在先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域的投資力度，以鞏固并擴(kuò)大其在HBM市場的領(lǐng)先地位。
2024-03-08 10:56:101177 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225 和研發(fā)設(shè)施。該項目是美國首個此類項目，預(yù)計將推動美國人工智能供應(yīng)鏈的創(chuàng)新，同時為該地區(qū)帶來一千多個新就業(yè)崗位。 1HBM（高帶寬內(nèi)存）：一種高價值、高性能內(nèi)存，可垂直互連多個 DRAM 芯片，與傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)品相比，可大幅提高數(shù)據(jù)處理速度。 HBM4 是繼 HBM、HBM2、HBM2E、H
2024-04-16 11:17:05658 SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041159 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071379 HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）在內(nèi)，SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝
2024-04-20 08:36:51492 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395 SK海力士最近透露，預(yù)計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02983 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn)，而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進(jìn)步。
2024-05-14 14:56:271657 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52985 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171890 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團(tuán)最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221514 SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 韓國SK海力士公司周四透露，該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器（HBM）芯片供應(yīng)計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能（AI）熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。
2024-06-03 09:35:46944 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品，同時進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084 近日，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了一項重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報道，在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導(dǎo)體盛會“VLSI 2024”上，韓國半導(dǎo)體巨頭SK hynix（SK海力士
2024-06-24 15:35:291747 雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，正嚴(yán)陣以待，積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061 在人工智能與大數(shù)據(jù)驅(qū)動的時代浪潮中，SK海力士正以前所未有的速度調(diào)整戰(zhàn)略，全力擁抱高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的蓬勃機(jī)遇。據(jù)韓國權(quán)威媒體最新報道，SK海力士PKG技術(shù)開發(fā)副總裁Moon Ki-il在近期
2024-07-08 11:54:491125 在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 據(jù)最新消息，SK海力士正攜手Waymo，為其標(biāo)志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器（HBM2E）技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動駕駛技術(shù)的日益普及，HBM不僅將在人工智能（AI）服務(wù)器領(lǐng)域大放異彩，更將逐漸滲透至汽車芯片市場，成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040 SK 海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭，近期宣布了一項重要的擴(kuò)產(chǎn)計劃，旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作，訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241924 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361646 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311993 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171177 在9月25日（當(dāng)?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321680 近日，韓國SK集團(tuán)會長透露了一項重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片，這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:481202 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201233 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181278 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051196 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布，為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個專門部門，專注于下一代AI芯片的開發(fā)與量產(chǎn)。 據(jù)悉，這兩個新部門將由新任命的首席
2024-12-06 10:56:461145 存儲芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915 
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310 隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上，更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:591003 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021668 在人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141388 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313696 
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