9月4日，半導體行業傳來重要動態，SK 海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發表演講，分享了公司在高帶寬內存（HBM）領域的最新進展與未來展望。金柱善社長自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩坐行業領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在HBM市場全球最高市占率的地位，也標志著HBM3E技術再次引領行業潮流，特別是在滿足日益增長的人工智能服務器對高性能內存需求的背景下。

除了現有的市場領先地位，SK 海力士還展示了其前瞻性的研發實力，透露了與臺積電攜手共進的下一代HBM4研發計劃。據悉，這款創新的HBM4產品將開創性地在基礎裸晶（Basedie）芯片上采用先進的邏輯制程工藝進行生產，預計能夠根據客戶的量產時間表靈活調整供貨節奏，有望成為業界首款采用此技術的高性能內存解決方案。

在技術規格上，當前SK 海力士的8層和12層HBM3E產品以其36GB的超大容量和每秒超過1.18TB的驚人數據處理速度，為高性能計算領域樹立了新的標桿。而即將面世的HBM4則更上一層樓，將提供12層和16層兩種配置選項，最大容量躍升至48GB，數據處理速度更是飆升至每秒超過1.65TB，預示著其在處理復雜AI算法和數據密集型應用方面的無限潛力。

綜上所述，SK 海力士通過不斷的技術創新與市場拓展，正引領著HBM技術的發展潮流，為全球高性能計算市場注入強勁動力。