實現牽引AI技術革新的最高性能，將于明年上半年投入量產

有望繼HBM3后持續在用于AI的存儲器市場保持獨一無二的地位

“以業界最大規模的HBM量產經驗為基礎，擴大供應并加速業績反彈”

2023年8月21日，SK海力士宣布，公司成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E*，并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。

SK海力士強調：

公司以唯一量產HBM3的經驗為基礎，成功開發出全球最高性能的擴展版HBM3E。并憑借業界最大規模的HBM供應經驗和量產成熟度，將從明年上半年開始投入HBM3E量產，以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位。

據公司透露， HBM3E不僅滿足了用于AI的存儲器必備的速度規格，也在發熱控制和客戶使用便利性等所有方面都達到了全球最高水平。

此次產品在速度方面，最高每秒可以處理1.15TB（太字節）的數據。其相當于在1秒內可處理230部全高清（Full-HD，FHD）級電影（5千兆字節，5GB）。

與此同時，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。

英偉達Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：

英偉達為了最先進加速計算解決方案(Accelerated Computing Solutions)所應用的HBM，與SK海力士進行了長期的合作。為展示新一代AI計算，期待兩家公司在HBM3E領域的持續合作。

SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示：

公司通過HBM3E，在AI技術發展的同時備受矚目的HBM市場中有效提升了產品陣容的完成度，并進一步夯實了市場主導權。今后隨著高附加值產品HBM的供應比重持續加大，經營業績反彈趨勢也將隨之加速。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發。HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本。

* MR-MUF：將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

** 向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置為與舊版產品可兼容的IT/計算系統內，無需另行修改或變更即可直接使用新產品。例如，對CPU或GPU企業，如果半導體存儲器新產品具有向后兼容性，則無需進行基于新產品的設計變更等，具有可直接使用現有CPU/GPU的優點。