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三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-02-27 14:28 ? 次閱讀
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近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。

具體來看,HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s,這一數字令人矚目,意味著數據傳輸速度將得到大幅提升。同時,該產品的容量也達到了36GB,為大型計算任務提供了充足的內存支持。

與三星之前的8層堆疊HBM3 8H相比,HBM3E 12H在帶寬和容量上均實現了顯著增長。據三星官方數據顯示,其性能提升超過50%,為高性能計算和人工智能等領域的應用提供了更強大的支持。

目前,三星已經開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品,并預計于今年下半年開始大規模量產。這一消息無疑將為整個半導體行業帶來新的活力,并有望推動相關領域的技術革新和應用拓展。

HBM3E 12H的成功發布,不僅展示了三星在半導體技術領域的創新能力,也為其在全球市場上的競爭提供了有力支持。未來,我們期待看到更多基于這一技術的創新應用和產品問世。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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