SK海力士計劃明年開始量產(chǎn)HBM2E DRAM
SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。
該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒460GB的帶寬，基于每個引腳的3.6Gbps速度性能和1,024個數(shù)據(jù)I / O. 通過利用TSV（硅通孔）技術，最多可以垂直堆疊8個16千兆位芯片，形成一個16GB數(shù)據(jù)容量的單個密集封裝。
SK海力士表示其HBM2E是第四個工業(yè)時代的最佳內(nèi)存解決方案，支持需要最高內(nèi)存性能的高端GPU，超級計算機，機器學習和人工智能系統(tǒng)。不同于采取模塊封裝形式并安裝在系統(tǒng)板商品DRAM產(chǎn)品，HBM芯片緊密互連到處理器，例如GPU和邏輯芯片小號，相距只有很少?單位分開，這允許更快的數(shù)據(jù)傳送。
“自2013年全球首個HBM發(fā)布以來，SK海力士已確立了其技術領先地位，”HBM業(yè)務戰(zhàn)略公司負責人Jun-Hyun Chun表示。“SK海力士將于2020年開始量產(chǎn)，預計HBM2E市場將開放，并繼續(xù)加強其在優(yōu)質(zhì)DRAM市場的領導地位。”
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