SK海力士開(kāi)發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過(guò)每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 。 ? 過(guò)往，三星和SK海力士在HBM內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，各大內(nèi)存廠(chǎng)商在HBM2E層面已經(jīng)開(kāi)始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點(diǎn)來(lái)看，2020年
2021-08-23 10:03:282441 近年來(lái)，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開(kāi)始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專(zhuān)用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-26 09:12:564442 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒(méi)個(gè)幾年時(shí)間是出不來(lái)的。 ? GPU 市場(chǎng)的顯存選擇 ? 我們?cè)匍_(kāi)看看目前GPU市場(chǎng)對(duì)于顯存的選擇，AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達(dá)則在
2022-12-02 01:16:003484 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，韓媒報(bào)道SK海力士副總裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自動(dòng)駕駛汽車(chē)，并強(qiáng)調(diào)SK海力士是Waymo自動(dòng)駕駛汽車(chē)這項(xiàng)先進(jìn)內(nèi)存
2024-08-23 00:10:007956 產(chǎn)品組合 ? 圖1：Rambus HBM4控制器 ? 中國(guó)北京，2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出業(yè)界首款HBM4內(nèi)存控制器IP，憑借廣泛的生態(tài)系統(tǒng)支持，擴(kuò)展了其在HBM IP領(lǐng)域
2024-11-13 15:36:401109 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報(bào)道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購(gòu)意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購(gòu)?fù)ㄓ?b class="flag-6" style="color: red">HBM4芯片，是為了強(qiáng)化超級(jí)電腦
2024-11-28 00:22:003283
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠(chǎng)的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內(nèi)存的FPGA新品，而且用了8GB容量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">HBM顯存雖然首發(fā)于AMD顯卡上，不過(guò)HBM 2這一代FPGA廠(chǎng)商比GPU廠(chǎng)商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
據(jù)市場(chǎng)分析，GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無(wú)減，2018年繪圖DRAM銷(xiāo)量會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 三星今天宣布，開(kāi)始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲(chǔ)芯片的簡(jiǎn)寫(xiě)。
2018-07-02 10:23:002585 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開(kāi)業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來(lái)自SK Hynix的堆疊寬帶存儲(chǔ)器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 雖然封裝不易，但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)HBM2E，針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對(duì)于一些大企業(yè)，集成這些技術(shù)可以說(shuō)不費(fèi)吹灰之力，但不是誰(shuí)都有這個(gè)實(shí)力。
2020-03-08 19:43:564565 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-25 16:53:572848 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，據(jù)外媒報(bào)道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 顯卡的顯存這一路走來(lái)都是GDDR，但是這兩年HBM成了大明星，最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。 由于三星等公司的努力，HBM在過(guò)去幾年來(lái)逐漸展現(xiàn)穩(wěn)步成長(zhǎng)。例如三星上半年發(fā)布了稱(chēng)為
2020-08-19 14:38:051440 Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應(yīng)商，能達(dá)到3.2Gbps的速度（超標(biāo)能達(dá)到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英
2020-09-10 14:39:012830 為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬，HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計(jì)者的兩個(gè)首選方案。
2020-10-26 15:41:133266 
和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 三星電子設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)發(fā)副總裁Jongshin Shin說(shuō)：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)知識(shí)與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。
2021-05-25 10:12:593004 韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SoC 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計(jì)算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強(qiáng)型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對(duì)于某些 AI 應(yīng)用程序，每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點(diǎn)，但
2022-07-30 11:53:503296 在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒(méi)個(gè)幾年時(shí)間是出不來(lái)的。 GPU市場(chǎng)的顯存選擇 我們?cè)倏纯茨壳癎PU市場(chǎng)對(duì)于顯存的選擇，AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達(dá)則在部分
2022-12-02 07:15:031989 HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴(lài)DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線(xiàn)和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場(chǎng)，由于其在整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)中所占的份額很小，因此相對(duì)于其他高性能芯片來(lái)說(shuō)，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:031257 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:331805 
7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動(dòng)期間，三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門(mén)總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)份額仍超過(guò) 50%”，他駁斥了有關(guān)該公司內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)力正在下降的擔(dān)憂(yōu)。
2023-07-10 10:56:031421 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線(xiàn)的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬(wàn)億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠(chǎng)的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過(guò)1.2TB/s，并通過(guò)先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開(kāi)始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470 有傳聞稱(chēng)，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來(lái)，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以?xún)?chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571 ? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三
2023-10-10 10:25:461636 美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門(mén)Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱(chēng)的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 三星電子近期計(jì)劃設(shè)立專(zhuān)門(mén)的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）開(kāi)發(fā)辦公室，旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。目前，關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團(tuán)隊(duì)規(guī)模尚未明確，但業(yè)界普遍預(yù)期，現(xiàn)有的HBM工作組將得到升級(jí)和擴(kuò)充，以適應(yīng)更高層次的研發(fā)需求。
2024-03-13 18:08:361541 實(shí)現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊，市場(chǎng)主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導(dǎo)電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買(mǎi)HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱(chēng)其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開(kāi)始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶(hù)信息。
2024-03-27 09:30:091917 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來(lái)也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開(kāi)始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 這類(lèi)內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問(wèn)題，對(duì)晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠(chǎng)商需提高 HBM 產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
2024-05-14 17:15:191047 業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過(guò)驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863 三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 針對(duì)媒體報(bào)道三星電子高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品未達(dá)英偉達(dá)品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的傳聞，三星予以明確否認(rèn)。該報(bào)道列舉了散熱及功耗等問(wèn)題，并稱(chēng)三星的HBM產(chǎn)品尚未經(jīng)過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試環(huán)節(jié)。
2024-05-27 09:51:14789 三星電子近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進(jìn)行順利的供應(yīng)測(cè)試。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。
2024-05-27 10:42:201062 值得注意的是，早年對(duì)HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷(xiāo)售初期市場(chǎng)反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星HBM未通過(guò)英偉達(dá)任何測(cè)試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時(shí)也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
2024-06-19 14:35:501643 在科技日新月異的今天，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國(guó)兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來(lái)振奮人心的消息。據(jù)韓國(guó)主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 近日，韓國(guó)媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱(chēng)三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過(guò)了GPU巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報(bào)道稱(chēng)三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268 韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱(chēng)三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開(kāi)啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對(duì)此消息進(jìn)行了否認(rèn)，表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式啟動(dòng)了組織重組計(jì)劃，旨在通過(guò)整合與優(yōu)化資源，構(gòu)建一個(gè)全新的高帶寬內(nèi)存（HBM）開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)。此舉標(biāo)志著三星電子在加速推進(jìn)HBM技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新與突破的堅(jiān)定決心。
2024-07-08 11:54:061043 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)，營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開(kāi)始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)。三星電子表示，該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376 在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中，三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，三星第二季度HBM銷(xiāo)售額同比大幅增長(zhǎng)超過(guò)50%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)更是達(dá)到了6.45萬(wàn)億韓元，這一成績(jī)顯著超出市場(chǎng)預(yù)期，標(biāo)志著三星在HBM市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)逆襲。
2024-08-01 14:42:471111 三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)（Nvidia）測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示：“我們無(wú)法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161 三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:071465 進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱(chēng)“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作，預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開(kāi)啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404 三星電子近期發(fā)布預(yù)測(cè)，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今年預(yù)測(cè)的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番，這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對(duì)高性能內(nèi)存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬(wàn)片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2024-10-11 17:37:121554 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過(guò)10%，從原先計(jì)劃的每月20萬(wàn)顆減至17萬(wàn)顆。這一變動(dòng)主要?dú)w因于向主要客戶(hù)的量產(chǎn)供應(yīng)遭遇延遲，導(dǎo)致三星對(duì)其尖端的HBM設(shè)備投資計(jì)劃采取了更為保守的策略。
2024-10-14 16:00:021304 近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱(chēng)這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無(wú)疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。 然而，對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個(gè)重要的商業(yè)機(jī)會(huì)，更是展示其技術(shù)實(shí)力和
2024-11-04 10:39:39786 近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠(chǎng)，專(zhuān)注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星電子將以租賃
2024-11-13 11:36:161756 Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項(xiàng)重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高帶寬內(nèi)存4代）內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413 三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠(chǎng)，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠(chǎng)將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
2024-11-14 16:44:351203 近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028 三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話(huà)會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷(xiāo)售，并在第四季度成功向多家GPU廠(chǎng)商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷(xiāo)售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。
2025-02-06 17:59:001106 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開(kāi)始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無(wú)疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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