據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

SK海力士生產(chǎn)主管Kwon Jae-soon表示：“我們已經(jīng)成功地將HBM3E芯片量產(chǎn)所需的時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率。”這標(biāo)志著SK海力士首次公開(kāi)披露HBM3E的生產(chǎn)信息。此前，業(yè)界預(yù)計(jì)SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之間。

SK海力士在HBM3E（第五代高帶寬存儲(chǔ)）的生產(chǎn)上取得了顯著進(jìn)展，以下是關(guān)于其量產(chǎn)時(shí)間和良率提升的具體信息：

HBM的制造過(guò)程涉及在DRAM層間創(chuàng)建TSV（硅通孔）和多次的芯片鍵合，其復(fù)雜程度遠(yuǎn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。一層DRAM出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè)HBM堆棧的報(bào)廢，這使得提高良率成為了一個(gè)重大的技術(shù)挑戰(zhàn)。SK海力士通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)工藝和引入新的技術(shù)解決方案，成功提升了HBM3E的良率。

SK海力士今年的目標(biāo)是專(zhuān)注于生產(chǎn)8層HBM3E。這一規(guī)格目前是客戶(hù)需求的核心，特別是在人工智能（AI）領(lǐng)域。SK海力士已于今年3月份開(kāi)始供應(yīng)8層HBM3E產(chǎn)品，并計(jì)劃在今年第三季度供應(yīng)12層HBM3E產(chǎn)品。12層HBM4（第六代HBM）產(chǎn)品計(jì)劃于2025年推出，而16層版本預(yù)計(jì)將于2026年投入生產(chǎn)。

快速增長(zhǎng)的人工智能市場(chǎng)推動(dòng)了SK海力士下一代DRAM的快速開(kāi)發(fā)。到2023年，主要用于人工智能應(yīng)用的HBM和大容量DRAM模塊按價(jià)值計(jì)算將占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的5%左右。SK海力士預(yù)測(cè)，到2028年，這些AI存儲(chǔ)產(chǎn)品將占據(jù)61%的市場(chǎng)份額。