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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）隨著DDR5的內(nèi)存開(kāi)始起量，DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)，LPDDR5X開(kāi)始普及，LPDDR6已經(jīng)提上日程，DRAM市場(chǎng)可謂瞬息萬(wàn)變。我們?cè)賮?lái)看看顯存市場(chǎng)，似乎仍停留在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒(méi)個(gè)幾年時(shí)間是出不來(lái)的。

GPU市場(chǎng)的顯存選擇

我們?cè)倏纯茨壳癎PU市場(chǎng)對(duì)于顯存的選擇，AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達(dá)則在部分高端消費(fèi)級(jí)GPU上選擇了美光的GDDR6X，數(shù)據(jù)中心GPU上同樣選擇了帶寬更高的HBM2E乃至HBM3。

雖說(shuō)其中大部分顯存三星也都能生產(chǎn)，甚至三星還在去年推出了帶寬高達(dá)24Gbps的業(yè)界最快GDDR6顯存。但無(wú)論是產(chǎn)能原因還是兩者之間有何協(xié)議，美光的GDDR6X仍然成了英偉達(dá)的選擇。隨著英偉達(dá)的RTX40系顯卡一出，三星丟了給英偉達(dá)代工GPU的訂單，這代產(chǎn)品換成了臺(tái)積電的N4工藝，也少了為其高端產(chǎn)品提供顯存的訂單，輸給了美光。

GDDR6W顯存 / 三星

鑒于GDDR7還比較遙遠(yuǎn)，三星決定推出自己的GDDR6加強(qiáng)版，進(jìn)一步加大自己在GDDR6上的優(yōu)勢(shì)，也就有了最新公布的GDDR6W顯存。

比肩HBM2E的性能

高帶寬顯存市場(chǎng)，尤其是在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，往往還是由HBM主導(dǎo)的，這種從一開(kāi)始就以大帶寬為目標(biāo)的內(nèi)存，已經(jīng)成了各種數(shù)據(jù)中心GPU、AI加速器的首選，比如英偉達(dá)的Hopper GPU就集成了80GB的HBM3。

但從成本角度來(lái)說(shuō)，還是現(xiàn)階段的GDDR6更為實(shí)惠，所以消費(fèi)級(jí)GPU的首選也都是后者。但如果GDDR6能夠?qū)崿F(xiàn)與HBM同樣的性能，對(duì)于高端消費(fèi)級(jí)GPU和數(shù)據(jù)中心無(wú)疑會(huì)有巨大的吸引力。

上文中提到的三星24Gbps帶寬的GDDR6顯存，就是基于第三代的10nm級(jí)工藝（1z）打造的，也用到了EUV光刻機(jī)。而在GDDR6X上，三星用到了他們先進(jìn)的扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)，通過(guò)堆疊原來(lái)的GDDR6（x32）DRAM，打造出與其面積一致的GDDR6W（x64）。

三星此次的FOWLP封裝可以說(shuō)為GDDR6帶來(lái)了全面的提升，不僅將16GB的顯存容量提升至了32GB，也將I/O數(shù)從32翻倍至64，實(shí)現(xiàn)了雙倍的帶寬。而這一切，居然還是建立在顯存模塊整體高度降低36%的前提下，從GDDR6的1.1mm降低至GDDR6W的0.7mm。

GDDR6W示意圖 / 三星

相較于過(guò)去的DRAM+PCB的設(shè)計(jì)，三星的FOWLP封裝將DRAM裸片直接疊放在晶圓上，使用RDL來(lái)實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的布線，而且在沒(méi)了PCB后，散熱也得到了改善。從三星給出的數(shù)據(jù)來(lái)看，集成8片GDDR6W的顯卡可以實(shí)現(xiàn)1.4TB/s的系統(tǒng)帶寬，而集成4片HBM2E的顯卡可以實(shí)現(xiàn)1.6TB/s的系統(tǒng)帶寬。雖說(shuō)性能已經(jīng)接近，但這樣的配置下GDDR6W顯卡的顯存容量應(yīng)該是要大于HBM2E顯卡的。

另外值得注意的是，三星似乎并沒(méi)有把GDDR6W作為面向桌面高端GPU的產(chǎn)品。在其新聞稿中，三星表示將通過(guò)與GPU客戶的合作，將GDDR6W的應(yīng)用擴(kuò)展到筆記本電腦等小型設(shè)備以及用于AI和HPC應(yīng)用的高性能加速器上，而這些都是講究高能效的場(chǎng)景，可見(jiàn)三星這次對(duì)GDDR6W的能耗控制相當(dāng)自信。

結(jié)語(yǔ)

從三星的GDDR6W顯存可以看出，存儲(chǔ)市場(chǎng)也和邏輯芯片一樣，除了繼續(xù)在提高本身的工藝水平以外，走向更先進(jìn)的封裝來(lái)提高密度已經(jīng)是大勢(shì)所趨。雖然我們對(duì)GDDR6W的成本并不了解，但如果能做到低于HBM2E的話，必將對(duì)英偉達(dá)、AMD和一眾國(guó)產(chǎn)GPU廠商產(chǎn)生不小的吸引力。

但GDDR6W畢竟還是同時(shí)用到了EUV光刻機(jī)和FOWLP封裝技術(shù)，在GDDR6X這種尺寸的顯存下，如果不能控制好功耗和良率的話，還是很難對(duì)現(xiàn)有的顯存市場(chǎng)產(chǎn)生沖擊的。因?yàn)槟呐翲BM和GDDR的單系統(tǒng)性能已經(jīng)接近，最后也還是要回到對(duì)功耗散熱上的考量。

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原文標(biāo)題：三星GDDR6W面世，直接對(duì)標(biāo)HBM2E的顯存

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