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電子發燒友網>存儲技術>SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲器

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲器

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HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據業界透露,三星電子、sk海力士存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴展版本)的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士正擴充韓國晶圓級封裝部門人才

隨著ai產業的增長,hbm需求劇增,sk海力士不得不增加人力和生產。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來,因此封裝技術的防熱性能也是重要因素。
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SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰,觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎設施關鍵技術

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SK海力士將在CES2024向全世界展示AI存儲器領導力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規模電子、IT展會“國際消費電子產品展覽會(CES 2024)”,屆時展示未來AI基礎設施中最為關鍵的超高性能存儲器技術實力。
2024-01-04 17:12:151445

傳英偉達與SK海力士協調2025年HBM供應

據可靠消息來源透露,英偉達與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器HBM)供應量進行協調。這一合作的背后,是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497

SK海力士擬在美國建廠生產HBM芯片

韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產高帶寬內存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(NVIDIA)的AI GPU進行深度整合,共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
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鎧俠向SK海力士提議在日產非易失性存儲器,推動合作達成

去年,鎧俠與西數的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠,提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領先三星

在嚴格的9個開發階段后,當前流程全部完成,步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志,這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可,同步啟動大規模生產及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3月量產HBM3E存儲器

在全球存儲半導體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器HBM3E)的開發工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品,并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
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SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
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SK海力士預計3月量產HBM3E,供貨英偉達

近日,全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發,并且已經通過了英偉達
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SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
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SK海力士HBM3E內存正式量產,AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發僅過了七個月。據稱,該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位

SK海力士作為HBM3E的首發玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
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SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

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2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產品性能,實現新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士與臺積電共同研發HBM4,預計2026年投產

HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
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SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
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SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器HBM)價格將持續攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
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SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據業內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
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SK海力士HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
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SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
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SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2宣布HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士調整HBM供應計劃以響應AI熱潮

韓國SK海力士公司周四透露,該公司正在重新調整明年的高容量存儲器HBM)芯片供應計劃。這一調整源于客戶為抓住人工智能(AI)熱潮而提前發布產品計劃的趨勢。
2024-06-03 09:35:46944

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰

雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業的領軍企業,正嚴陣以待,積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:591061

SK海力士豪擲748億美元加碼存儲器芯片投資,聚焦HBM技術引領AI未來

在全球半導體產業與人工智能(AI)技術日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰略眼光和雄厚的資金實力,再次成為業界的焦點。據最新報道,SK海力士計劃在2028年前投資高達103兆韓元(約合748億美元),用于存儲器芯片的生產與研發,這一舉措無疑是對半導體產業未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產能,應對AI熱潮下的存儲需求

在全球人工智能(AI)技術持續升溫的背景下,韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調整生產策略,以應對日益增長且多樣化的存儲需求。據韓國媒體最新報道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創新生產

在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:531328

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新,更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務報告,這份報告展現出了公司在復雜市場環境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動,導致SK海力士的股價應聲下跌8.87%,但其財務表現卻創下了多項歷史新高,成為行業關注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313

標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位

近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術

據最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器HBM2E)技術。這一合作預示著隨著自動駕駛技術的日益普及,HBM不僅將在人工智能(AI)服務領域大放異彩,更將逐漸滲透至汽車芯片市場,成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040

SK海力士下半年擴招加碼,鞏固AI半導體技術領軍地位

全球半導體巨頭SK海力士近日宣布了一項重大人才招募計劃,旨在通過下半年的大規模新員工及資深行業人才招聘活動,進一步強化其在高帶寬存儲器HBM)領域的領導地位,并積極擁抱人工智能(AI)半導體市場的迅猛增長浪潮。
2024-09-03 16:08:091785

SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存

自豪地宣布SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361645

SK海力士CXL方案成功融入Linux系統

 韓國首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術突破,其自主研發的異構存儲器軟件開發套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328

SK海力士開始先進人工智能芯片生產

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領未來:全球首發12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產

SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內率先實現12層堆疊HBM3E的量產,這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術領域的持續領先地位。這款新品不僅將HBM產品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應用所需的速度、容量及穩定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176

SK海力士HBM生產效率驚人,或引領存儲器市場格局轉變

在9月25日(當地時間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業盛會上,SK海力士發布的一項關于其高帶寬內存(HBM)的驚人數據——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數據揭示了SK海力士HBM生產效率上的巨大優勢。
2024-10-08 16:19:321679

韓華精密機械向SK海力士提供HBM設備

 韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器HBM)生產中的核心設備——TC鍵合測試設備。   針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機械與SK海力士HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:081445

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內存的最新一代產品,具有出色的數據傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領先的圖形處理(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術

限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發布HBM3e 16hi產品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉,該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

SK海力士加速16Hi HBM3E內存量產準備

堅實基礎。 SK海力士的這一舉措,無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內存作為業界領先的技術產品,其量產將有望推動整個半導體存儲行業的發展和進步。通過加速量產準備工作,SK海力士不僅展現了其在技術創新方面的實力,也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士計劃減產NAND Flash存儲器以應對市場下滑

產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士將關閉CIS圖像傳感部門 轉向AI存儲器領域

3 月 6 日消息,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:161080

SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃

隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,為SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK海力士的成長不僅體現在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領AI時代技術變革方面所發揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993

SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者

近年來,SK海力士屢獲創新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
2025-05-23 13:54:361015

SK海力士HBM技術的發展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革

在人工智能(AI)技術迅猛發展的當下,數據處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產品
2025-09-16 17:31:141381

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

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