（文章來源：泡泡網）
三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現16GB容量，最高可提供3.2Gbps的穩定數據傳輸速度。預計全新的HBM2E存儲芯片將在今年上半年開始量產。

三星在2019年3月曾宣布成功研發了業界首款符合HBM2E規范的存儲芯片HBM2E是HBM2的升級版標準，HBM2的最大數據傳輸速度可達2.4Gbps，在此之前使用HBM2存儲芯片的顯卡包括有AMD Radeon VII及NVIDIA Titan V，其中Radeon VII的顯存位寬為4096bit 、頻寬最高可達1TB/s，至于Titan V的顯存位寬為3072bit、頻寬也達到了653GB/s。

至于JEDEC(國際固態技術協會)最新發布的第三版HBM2E標準“JESD235C”，HBM2E存儲芯片的電壓依舊保持在1.2V，不過其針腳頻寬提高到3.2Gbps，較前一代2.4Gbps的最大數據傳輸速度提升33%。按照JEDEC給出的設計規范，單Die最大可達2GB、單堆迭12Die能達到24GB的容量，將其配備在支持四堆迭的顯示核心上，便可為顯卡提供1.64TB/s的總頻寬。

有意思的是，“JESD235C“標準中僅僅制定了正常工作狀態的電壓，并未對全新的HBM2E電壓的做出任何的限制。因此，三星可以為自家的HBM2E存儲芯片加入“超頻”的特性，這樣可以實現不小的提升空間，為顯卡提供更高的頻寬。

全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝，單顆最大容量為16GB，由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說，全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認的3.2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的頻寬，1秒內便可傳輸82部 Full HD (5GB)全高清畫質的影片。

至于三星內部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片，在“超頻”后可以達到最高4.2Gbps的傳輸速率，頻寬更高達538GB/s，比上代產品高出75%。按照三星官方的說法，全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產，特別適用于HPC高性能運算系統，并可幫助系統制造商及時改進其超級電腦、AI驅動的數據分析以及最新的圖形系統。
（責任編輯：fqj）