完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
標簽 > IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
靜態特性
三菱制大功率IGBT模塊
IGBT的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區1、放大區2和擊穿特性3部分。在截止狀態下的IGBT，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用范圍。
IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
動態特性
動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。
IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT處于導通態時，由于它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on)可用下式表示：：
Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh
式中Uj1——JI結的正向電壓，其值為0.7～1V；Udr——擴展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。
通態電流Ids可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos——流過MOSFET的電流。
由于N+區存在電導調制效應，所以IGBT的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT通態壓降為2～3V。IGBT處于斷態時，只有很小的泄漏電流存在。
IGBT在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET來運行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)為開通延遲時間，tri為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton即為td(on)tri之和，漏源電壓的下降時間由tfe1和tfe2組成。
IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極-發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。
IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中：td(off)與trv之和又稱為存儲時間。
IGBT的開關速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極并聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
三季度利潤暴增1108%！IGBT漲價、SiC營收大漲，本土功率廠商打入高毛利市場
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近國內各家功率半導體大廠都披露了2025年第三季度的財報，整體來看業績表現普遍都迎來了一波大漲，尤其值得關注的是在盈利方...
?基于Vishay VOFD341A光耦驅動器的技術解析與應用指南
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關IGBT和MOSFET...
Vishay VOFD343A 大功率光耦驅動器技術解析與應用指南
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設計、快速開關IGBT和M...
浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑電動車熱泵空調，替代IGBT的核心優勢
在新能源汽車行業，冬季續航縮水、低溫制熱效率低一直是用戶關注的核心痛點。而熱泵空調作為解決這一問題的關鍵配置，其性能表現直接取決于核心部件——壓縮機控制...
2025-11-07 標簽：電動車IGBTSiC MOSFET 883 0
ADP7000系列示波器特色功能：IGBT動態測試專家，精準捕捉每一瞬態！
ADP7000系列示波器精準捕捉每一瞬態在能源革命與半導體技術飛速發展的今天，IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）作為新一代功率半導體器件，已廣泛應用于新能源...
在IGBT為主流的時代，提到抗短路能力，就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力，那就是比較能抗，一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那...
不同 IGBT 封裝對焊料的要求差異，本質是場景決定性能優先級。中低功率、低成本場景（TO 封裝）：焊料需“夠用就行”，優先控制成本；中高功率、工業場景...
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一：IGBT功率器件測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試...
控制引腳HINU、HINV、HINW分別對應高邊IGBT的U相、V相、W相控制輸入；LINU、LINV、LINW則分別對應低邊IGBT的U相、V相、W相...
STGSH80HB65DAG汽車級IGBT技術深度解析與應用指南
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個IGBT和二極管，采用緊湊、堅固的表面貼裝...
類別：IC datasheet pdf 2025-06-23 標簽：二極管IGBT 1.5k 0
類別：IC datasheet pdf 2025-06-23 標簽：IGBT電磁爐 452 0
類別：IC datasheet pdf 2025-04-25 標簽：IGBT功率模塊 692 0
類別：IC datasheet pdf 2025-03-18 標簽：MOSFET驅動器IGBT 316 0
第三代半導體碳化硅 IGBT/MOSFET導熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導熱絕緣墊片
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍...
11月17日，揚州2025第三屆“綠楊金鳳”人才周在揚州會議中心啟動，揚杰科技董事長梁勤女士榮膺國家級領軍人才榮譽。
柵極驅動器是連接控制芯片和功率開關、實現高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統中，無論是新能源汽車的電驅電控、光伏逆變器、工業變頻器，其核心都離不開柵極驅...
2025年11月7-10日，第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國...
2025年11月12-14日，為期三天的第四屆中國核能高質量發展大會暨深圳國際核能產業創新博覽會在深圳會展中心圓滿落幕。在這場全球核能領域規模最大的行業...
【博主簡介】本人“愛在七夕時”，系一名半導體行業質量管理從業者，旨在業余時間不定期的分享半導體行業中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用等相...
三季度利潤暴增1108%！IGBT漲價、SiC營收大漲，本土功率廠商打入高毛利市場
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近國內各家功率半導體大廠都披露了2025年第三季度的財報，整體來看業績表現普遍都迎來了一波大漲，尤其值得關注的是在盈利方...
電動汽車用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊環境試驗要求及試驗方法的詳解；
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業質量管理從業者，旨在業余時間不定期的分享半導體行業中的：產品質量、失效分析、可靠性分析和產品基礎應用...
作為電力電子系統的“核心傳令官”，柵極驅動器承擔著銜接控制芯片和功率開關的關鍵使命，更是保障高低壓隔離的安全屏障。從新能源汽車的電驅電控、到光伏逆變器、...
在近日落幕的“2025中國電機智造與創新應用暨電機產業鏈交流會（秋季）”上，上海貝嶺憑借80～100V SGT系列產品在電機驅動與控制領域領先的技術實力...
換一批
編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯網 | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發電 | UPS | AR | 智能電網 | 國民技術 | Microchip |
| 開關電源 | 步進電機 | 無線充電 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 單片機 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 藍牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太網 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 語音識別 | 萬用表 | CPLD | 耦合 | 電路仿真 | 電容濾波 | 保護電路 | 看門狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 閾值電壓 | UART | 機器學習 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
