幾個月前，SK Hynix成為第二家發布基于HBM2E標準的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列。現在，公司宣布它們改進的高速高密度存儲已投入量產，能提供高達3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達16GB/stack的容量。

HBM2E對HBM2標準型進行了一些更新來提升性能，作為中代產品，能提供更高的時鐘速度，更高的密度（12層，最高可達24GB）。三星是第一個將16GB/satck Flashbolt內存搭載在HBM2E上的內存供應商，能達到3.2Gbps的速度（超標能達到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英偉達最近推出的A100加速器的主要合作伙伴，該加速器主要用的是三星的Flashbolt內存。

SK Hynix近日的聲明意味著HBM2E生態系統的其他部分正在成型，芯片制造商很快就能擁有第二個快速存儲器供應商。根據SK Hynix去年的首次聲明，他們新的HBM2E內存是8-Hi，16GB堆棧，容量是他們早期HBM2E內存的兩倍。同時，該內存的時鐘頻率能夠達到3.6Gbps/pin，這實際上比官方HBM2E規范的最高“僅僅”3.2Gbps/pin快。因此，就像三星的Flashbolt內存一樣，對于擁有HBM2E內存控制器的芯片制造商來說，3.6Gbps的數據速率基本上是一種超出規格的可選模式。

在這樣的最高速度下，單個1024pin的堆棧總共有460GB/s的內存帶寬這可以和現在大多數顯卡相媲美（甚至超過）。對于使用多個堆棧的更高級的設備（例如服務器GPU），這意味著一個6棧的結構能達到2.76TB/s的內存帶寬。

雖然SK Hynix現在沒有公布任何客戶，但公司期望這新內存能用于包括深度學習加速器和高性能計算的下一代AI（人工智能）。即使英偉達并不是唯一使用HBM2的供應商，英偉達A100最終也會在新內存直接使用。SK Hynix和AMD的產品線有些接近，后者將在明年推出一些新的服務器GPU，用于超級計算機和其他HPC系統。所以，無論如何，HBM2E的時代正在迅速崛起，因為越來越多的高端處理器需要引進并使用更快的內存。

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