SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 據韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業務重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發部門整合在一起，實現從開發、制造，以及業務的后期處理等統一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 2020年2月，固態存儲協會(JEDEC)對外發布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經完成了符合博世要求的規格的存儲芯片的開發。 ? 與消費類設備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 據悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據稱，SK海力士已完成了符合博世要求規格的內存芯片的開發。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 ? 圖源：SK海力士官網 ? SK海力士將這一進展定義為：意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談論EUV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關聯技術。從原理上說，光刻技術就是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。近半個多世紀，半導
2021-07-13 06:36:583394 
為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存
2023-04-20 10:22:191910 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:004808 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
售罄。” ? 值得注意的是，此前市場研究機構Yolo Group報告指出，2023年HBM芯片的平均售價是傳統DRAM內存芯片的五倍。然而，市場熱度在AIGC的帶動下依然有增無減。 ? SK海力士靠
2024-02-28 00:16:003825 SK 海力士周一發布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內存芯片密度是全球最高，功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 據市場分析，GPU業者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續上揚，三星、SK海力士相繼量產HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業界第一款異構系統級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業利益紀錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:131058 SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 7月15日業界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產。
2019-07-17 10:03:303501 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 本月DRAM現貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 據etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產線以生產下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片，可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數據，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產品HBM31，公司不僅又一次創造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219 * 業界最快的DDR5服務器，實現數據傳輸速率高達8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領航MCR DIMM開發? * 努力尋求技術突破，鞏固在服務器DRAM市場的領導地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:312118 Corp. 周四的數據，美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額，比上一季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士，后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
據業界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產品委托給tsmc。半導體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471993 sk海力士表示：“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎，成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676 與此同時，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:131515 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構建和擴張數據中心的企業用ssd （ssd）和服務器dram。據悉，對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加，公司業績開始持續改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現良好。因此與上一季度相比，營業收入增長了24%，營業虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現出強大的增長勢頭。數據顯示，公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 據可靠消息來源透露，英偉達與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器（HBM）供應量進行協調。這一合作的背后，是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產高帶寬內存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 在嚴格的9個開發階段后，當前流程全部完成，步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志，這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可，同步啟動大規模生產及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現已提前調整產量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發，并且已經通過了英偉達
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作為HBM3E的首發玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源，SK海力士將進一步提升存儲器產品性能，實現新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 產品）起，SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產品）開始，該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374 4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產 HBM4。 根據雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標是改善
2024-04-20 08:36:51492 HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士最近透露，預計其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲，以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內存（HBM）芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術的蓬勃發展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 業界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存，下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導致近期DDR3價格飆漲，最高漲幅達二成，且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產下一代HBM（高帶寬內存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續布線工藝（BEOL），確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 據報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 然而，全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內存獨家供應商，且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正引領半導體行業進入新時代，開發了一種融合計算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內存）。這一創新戰略旨在鞏固其在HBM市場中的領先地位，同時進一步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:401164 SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品，進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄，顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 SK海力士在半導體領域再次邁出創新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半導體產業風起云涌的當下，SK海力士再次展現出其前瞻性和決斷力。據行業內部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產規模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存（HBM）和DDR5 DRAM的市場需求，進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
2024-06-17 16:50:021580 據韓國媒體報道，為了應對市場對高性能HBM3E（高帶寬內存第三代增強版）內存的激增需求，全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內存產能。這一戰略決策旨在確保公司能夠穩定供應高質量內存產品，同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
2024-06-18 16:25:571084 ）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291746 在科技日新月異的今天，DRAM（動態隨機存取存儲器）作為計算機系統中的關鍵組件，其技術革新一直備受矚目。近日，據業界權威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業的領軍企業，正嚴陣以待，積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:591061 在人工智能與大數據驅動的時代浪潮中，SK海力士正以前所未有的速度調整戰略，全力擁抱高帶寬內存（HBM）市場的蓬勃機遇。據韓國權威媒體最新報道，SK海力士PKG技術開發副總裁Moon Ki-il在近期
2024-07-08 11:54:491125 在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息，該公司計劃于2026年在其高性能內存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產過程中引入混合鍵合技術，這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破，也預示著全球半導體行業將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導體存儲技術的快速發展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內存（HBM）的進一步演進。據最新業界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中，這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 ）合作展開深入協商。這一合作旨在通過整合雙方優勢資源，進一步提升SK海力士在高性能內存（HBM）領域的市場競爭力。
2024-07-18 09:42:511223 在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕，也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:531329 近日，國際知名評級機構標準普爾全球評級（S&P Global Ratings）宣布了一項重要決策，將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB-提升至BBB，并維持穩定的評級展望。此次上調評級，主要基于SK海力士在高性能內存（HBM）領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042 近日，據外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%，這一舉動在業界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張，對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模，顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設備供應商合作，訂購了關鍵生產設備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內存）及通用DRAM內存方面的生產能力。
2024-08-16 17:32:241920 在人工智能浪潮的推動下，SK海力士再次展現其技術前瞻性與創新實力。公司副社長柳成洙（Ryu Seong-su）近日宣布了一項重大研發計劃，旨在打造一款性能遠超現有水平的HBM（高帶寬內存）。據透露，這款新一代HBM產品的性能目標直指當前同類產品的20至30倍，無疑將在內存技術領域掀起一場革命。
2024-08-21 10:51:11904 SK海力士宣布了一項重大技術突破，成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩坐行業領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄，為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 在9月25日（當地時間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業盛會上，SK海力士發布的一項關于其高帶寬內存（HBM）的驚人數據——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數據揭示了SK海力士在HBM生產效率上的巨大優勢。
2024-10-08 16:19:321679 韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片，這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:481202 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231 限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品，該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉，該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品，這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915 
堅實基礎。 SK海力士的這一舉措，無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內存作為業界領先的技術產品，其量產將有望推動整個半導體存儲行業的發展和進步。通過加速量產準備工作，SK海力士不僅展現了其在技術創新方面的實力，也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存（HBM）的DRAM產能，目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時，美光已經為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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