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電子發燒友網>新品快訊>飛兆半導體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET

飛兆半導體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET

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選型手冊:VS6614DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:雙通道N
2025-12-08 10:43:06235

選型手冊:VS3622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-08 10:32:52241

選型手冊:VS4401AKH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

選型手冊:VS3610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-04 09:22:59258

VS3615GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等
2025-12-03 09:53:50217

高壓半橋驅動如何兼顧效率、抗擾?SiLM22868帶來600V/4A為你解答

MOSFET等新一代寬帶隙半導體器件,支持系統向更高頻、更高效的方向演進。 堅固耐用,無懼苛刻環境:從600V的高壓耐受到寬溫工作范圍(-40℃~150℃),再到集成化的保護功能,其設計充分考慮了工業現場
2025-12-03 08:25:35

選型手冊:VSP015N15HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能,適配中高壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207

選型手冊:VS5814DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于VeriMOS?技術實現低導通電阻與高效能,適配中壓雙路電源管理、DC/DC
2025-12-02 09:25:31228

選型手冊:VSE025N10HS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,具備快速開關特性與高可靠性,適配中壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-01 16:36:00207

選型手冊:VSE002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現極致低導通電阻,適配低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高
2025-12-01 15:32:59189

選型手冊:VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高可靠性,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域
2025-12-01 15:07:36169

深入解析 NVMFS024N06C:高性能單通道 N溝道 MOSFET

作為一名電子工程師,在設計電路時,選擇合適的 MOSFET 至關重要。今天我們就來詳細探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些特性和優勢。
2025-12-01 14:02:46261

選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等
2025-11-28 12:03:51204

解析 NVMFS4C306N:高性能單通道 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的半導體器件,其性能表現直接影響著整個電路的效率和穩定性。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS4C306N通道 N 溝道 MOSFET,看看它在實際應用中究竟有哪些獨特的優勢。
2025-11-27 16:29:57334

選型手冊:VSP004N10MSC-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現超低導通電阻與高效能,憑借1.00mΩ極致低阻、125A
2025-11-27 14:48:33239

選型手冊:VSP004N10MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術實現快速開關與高能量效率,憑借超低導通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-27 14:42:04194

選型手冊:VSP007N12HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現高效能與快速開關特性,憑借低導通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-26 15:24:14240

選型手冊:VSP003N10HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持10V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術實現快速開關與高效能,適用于DC/DC轉換器
2025-11-26 15:13:13226

SLM2181CA-DG解析600V高低邊門極驅動器的核心優勢

影響 通道匹配兩通道間匹配傳輸延時核心特性詳解: 浮動通道與自舉供電:專為自舉操作設計的浮動通道,使SLM2181CA-DG能直接驅動高邊配置的N溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓高達600V,這顯著
2025-11-21 08:35:25

SLM21814CJ-DG 600V高低邊門極驅動器解析與應用探討

一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器,專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23

?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復整流器技術解析與應用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅動器

600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18

三菱電機推出新緊湊型DIPIPM功率半導體模塊

包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48916

SiLM2285 600V/4A半橋驅動芯片 賦能工業與新能源高效升級

了其對電壓波動的適應性。3. 簡化設計,集成度高 采用浮動通道架構,可直接驅動工作電壓高達600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT,無需復雜的隔離電源,極大地簡化了半橋、全橋等拓撲的設計,降低了方案
2025-09-05 08:31:35

數明半導體推出SiLM22xx系列半橋門極驅動器

數明半導體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅動換新系列產品。
2025-08-28 11:20:591932

SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅動芯片

,是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優勢解析: 高壓與強驅動力: 芯片的浮動通道設計支持高達600V的工作電壓,并能耐受負壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40

SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186半橋驅動解決方案

代替IR2186,為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅動方案。核心優勢:高壓驅動與可靠保護的完美結合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統保護
2025-08-23 09:36:06

SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半橋驅動,直擊高壓高功率應用痛點

升/下降時間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關損耗,提升高頻應用下的轉換效率和功率密度。 高邊直驅設計: 獨特的浮動通道設計,支持直接驅動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25

SLM21867CA-DG高性能600V高低邊門極驅動器兼容代替IRS21867S

:SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54

BDR6307B 600V高壓半橋驅動芯片中文手冊

? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031

MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET

在服務器電源、工業驅動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術,為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

圣邦微電子推出30VN溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30VN 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971

MOSFET與IGBT的區別

半導體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產品族)。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

純凈電力,穩定運行——600V變380V隔離變壓器,半導體設備的最佳選擇!

在工業生產和半導體設備運行中,電網中的雜質和諧波問題常常導致設備運行不穩定,甚至引發安全隱患。為了解決這一問題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器,為您的設備提供高效
2025-03-05 08:58:06577

加拿大設備電壓不匹配?600V變380V隔離變壓器來助力!

卓爾凡電力科技變壓器,當進口的加拿大380V半導體設備在國內600V電網環境下運行時,電壓不匹配問題常常導致設備無法正常工作,甚至可能損壞設備。為解決這一難題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V
2025-03-05 08:50:52547

CSA材料認證標準600V變380V 600V變480V變壓器 卓爾凡

600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質,成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證:品質與安全的堅實背書 CSA,即加拿大標準協會認證,在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言,獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40797

600V高壓半橋驅動芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。 BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03

意法半導體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271022

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