威兆半導(dǎo)體推出的VS4N65CD是一款面向 650V 高壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配高壓小功率電源管理、開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值 260mΩ，高壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 2.5A，滿(mǎn)足高壓小功率負(fù)載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：16A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)小電流沖擊。

二、核心特性

• 高壓適配：650V 耐壓滿(mǎn)足高壓電源場(chǎng)景需求；
• 快速開(kāi)關(guān)：開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)異，適配高頻高壓開(kāi)關(guān)電路；
• 環(huán)保合規(guī)：滿(mǎn)足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配小型化高壓電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 650V 級(jí)高壓小功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 高壓電源的開(kāi)關(guān)電路；
  • 工業(yè)設(shè)備的高壓小功率負(fù)載控制。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）