威兆半導體推出的VSD011N10MS-G是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 10.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 13.5mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 58A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 44A，承載能力較強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：222A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼顧快速開關與高能量轉換效率，適配高頻中壓場景；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 25mJ，抗沖擊能力強；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路設計；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓中功率 DC/DC 轉換器；
  • 工業設備、儲能系統的中壓負載開關；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）