威兆半導體推出的VS3602GPMT是一款面向 30V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓大電流 DC/DC 轉換器、電源管理等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值3.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值4.0mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：440A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為278A；
    • 封裝約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：200A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：1150A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：實現快速開關與高能量轉換效率，兼顧功率密度與能效；
• 極致低導通電阻：3.0~4.0mΩ 的阻性表現，大幅降低低壓超大電流場景的傳導損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達 1245mJ，抗沖擊能力極強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高功率密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓超大電流 DC/DC 轉換器主開關管；
  • 高功率電源管理系統的功率開關；
  • 工業(yè)設備、儲能系統的超大電流負載通斷控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）