威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向 30V 低壓場景的雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,采用 SOP8 封裝,適配雙路低壓電源管理、小型負載開關(guān)等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 雙通道 + 5V 邏輯控制:單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET,適配 5V 邏輯驅(qū)動,簡化雙路小型電源電路設(shè)計;
- 快速開關(guān) + 高效率:開關(guān)特性優(yōu)異,兼顧低壓雙路場景的能量轉(zhuǎn)換效率;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),單通道,除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 30 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 2.3 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 9;\(T=70^\circ\text{C}\): 8 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 37 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 4 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 2 | W |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 結(jié) - 引腳熱阻 | \(R_{thJL}\) | 50 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:SOP8 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化、高密度雙路電源電路板設(shè)計;
- 典型應(yīng)用:
- 30V 級雙路低壓微型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 便攜設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端的雙路負載開關(guān);
- 小型電子設(shè)備的低功耗雙路電源管理。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10303瀏覽量
146649 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1666瀏覽量
99928 -
威兆半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
67瀏覽量
201
發(fā)布評論請先 登錄

選型手冊:VS3640DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
評論