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威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向 40V 低壓超大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
核心參數(shù)：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；
- 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 2.7mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 3.7mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
- 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 125A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 79A，承載能力極強；
- 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：500A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動，簡化低壓大功率電路設計；
超低導通電阻：2.7~3.7mΩ 的阻性表現(xiàn)，大幅降低低壓大電流傳輸?shù)膿p耗；
高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 760mJ，抗沖擊能力極強；
高功率密度：PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計，散熱性能優(yōu)異；
環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

參數(shù)	符號	數(shù)值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	40	V
柵源極電壓	\(V_{GS}\)	±20	V
二極管連續(xù)正向電流	\(I_S\)	125	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 125；\(T=100^\circ\text{C}\): 79	A
脈沖漏極電流	\(I_{DM}\)	500	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	760	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 63；\(T=100^\circ\text{C}\): 41	W
工作 / 存儲溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封裝與應用場景

封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷；
典型應用：
- 40V 級低壓超大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
- 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設備的超大電流負載開關；
- 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊

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