威兆半導體推出的VSE011N10MS-G是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN3333 封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 10.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 15.0mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 45A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 28A，承載能力較強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：180A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼顧低導通電阻與快速開關特性，提升中壓電源能效；
• 高功率密度：PDFN3333 小封裝適配小型化高集成電路設計；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規格為 5000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓小型高功率密度 DC/DC 轉換器；
  • 消費電子、物聯網設備的中壓負載開關；
  • 小型中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）