威兆半導體推出的VS7N65AD是一款面向 650V 高壓小功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配高壓電源開關、小功率 DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 600mΩ，高壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 7A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 4.4A，滿足高壓小功率負載需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：28A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時小電流沖擊。

二、核心特性

• 10V 邏輯電平控制：適配 10V 邏輯驅動，滿足高壓電路的控制需求；
• 快速開關：開關特性優異，適配高頻高壓開關電路；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規格為 2500pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 650V 級高壓小功率 DC/DC 轉換器；
  • 高壓電源的開關電路；
  • 工業設備的高壓小功率負載控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）