威兆半導體推出的VSD950N70HS是一款面向 700V 高壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配高壓電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET（超結工藝）
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.88Ω，高壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時5A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為3.2A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：20A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 超結工藝（Super Junction）：兼顧高壓耐壓與較低的導通電阻，提升高壓場景能效；
• 低柵極電荷：極致低柵極電荷特性，降低開關損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 97mJ，抗沖擊能力強；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規格為 2500pcs / 卷，適配高壓小型化電路設計；
• 典型應用：
  • 700V 級高壓 DC/DC 轉換器開關管；
  • 工業設備的高壓電源管理系統；
  • 光伏、適配器等高壓場景的功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）