威兆半導體推出的VSO012N06MS是一款面向 60V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數:
二、核心特性
- 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅動,無需額外電平轉換,簡化低壓小型電路設計;
- 快速開關 + 高效率:開關特性優(yōu)異,搭配低導通電阻,提升低壓電源能效;
- 高可靠性:單脈沖雪崩能量達 129mJ,抗沖擊能力較強;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數 | 符號 | 數值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 60 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 2.0 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 13;\(T=100^\circ\text{C}\): 8.3 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 42 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 129 | mJ |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:SOP8 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化電路板設計;
- 典型應用:
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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