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選型手冊:VSO012N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質誠科技有限公司 ? 2025-12-25 16:31 ? 次閱讀
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威兆半導體推出的VSO012N06MS是一款面向 60V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適配低壓小型電源管理負載開關等領域。

一、產品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;
    • 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時 8.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 11.5mΩ,低壓場景下傳導損耗低;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時 13A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 8.3A,滿足小型負載的電流需求;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):42A(\(T=25^\circ\text{C}\)),可應對瞬時小電流沖擊。

二、核心特性

  • 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅動,無需額外電平轉換,簡化低壓小型電路設計
  • 快速開關 + 高效率:開關特性優(yōu)異,搭配低導通電阻,提升低壓電源能效;
  • 高可靠性:單脈沖雪崩能量達 129mJ,抗沖擊能力較強;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數符號數值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

60V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

2.0A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 13;\(T=100^\circ\text{C}\): 8.3

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

42A
單脈沖雪崩能量

\(E_{AS}\)

129mJ
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應用場景

  • 封裝形式:SOP8 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化電路板設計;
  • 典型應用

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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