威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向 40V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 PDFN3333 封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí) 4.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時(shí) 4.9mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 43A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 27A，承載能力較強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：172A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)化低壓小型電路設(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻 + 高效率：4.0~4.9mΩ 的阻性表現(xiàn)，搭配快速開關(guān)特性，提升低壓電源能效；
• 高功率密度：PDFN3333 小封裝適配小型化高集成電路設(shè)計(jì)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 40V 級(jí)低壓小型高功率密度 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低壓負(fù)載開關(guān)；
  • 小型低壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）