威兆半導體推出的VSP004N10MS-G是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5060X 封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 3.8mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 5.7mΩ，中壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 135A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 88A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：540A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? 技術：兼顧低導通電阻與快速開關特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 121mJ，抗沖擊能力強；
• 大封裝高功率：PDFN5060X 封裝適配高功率密度電路設計；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5060X 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓大功率 DC/DC 轉換器；
  • 儲能系統、工業設備的中壓超大電流負載開關；
  • 高功率電源管理系統的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）