威兆半導體推出的VS3622DP2是一款面向 30V 低壓場景的雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,采用 PDFN5x6 封裝,適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC 轉換器等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數:
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配雙路低壓供電場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\),單通道):\(V_{GS}=10V\)時典型值7.5mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值11mΩ,低壓場景下傳導損耗極低;
- 連續漏極電流(\(I_D\),單通道,\(V_{GS}=10V\)):
- 結溫約束(\(T_c=25^\circ\text{C}\)):42A;\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為28A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\),單通道):168A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),滿足雙路負載瞬時大電流需求。
二、核心特性
- 雙通道 + 5V 邏輯控制:單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET,適配 5V 邏輯驅動,簡化雙路電源拓撲設計;
- 低導通電阻 + 高可靠性:7.5~11mΩ 阻性表現降低傳導損耗,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 21mJ(單通道),感性負載開關穩定性強;
- 環保合規:滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(\(T=25^\circ\text{C}\),單通道,除非特殊說明)
| 參數 | 符號 | 數值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 30 | V |
| 二極管連續正向電流 | \(I_S\) | 42 | A |
| 連續漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T_c=25^\circ\text{C}\): 42;\(T_c=100^\circ\text{C}\): 28 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 168 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 21 | mJ |
| 最大功耗(結溫約束) | \(P_D\) | \(T_c=25^\circ\text{C}\): 33;\(T_c=100^\circ\text{C}\): 2.5 | W |
| 結 - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 0 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:PDFN5x6 表面貼裝封裝,包裝規格為 3000pcs / 卷,適配高密度雙路電源電路板設計;
- 典型應用:
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
78文章
10303瀏覽量
146649 -
MOS
+關注
關注
32文章
1666瀏覽量
99928 -
威兆半導體
+關注
關注
1文章
67瀏覽量
201
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦

選型手冊:VS3622DP2 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
評論