威兆半導體推出的VSP007N12HS-G是一款面向 120V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術實現高效能與快速開關特性，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于中壓 DC/DC 轉換器、同步整流、電源管理系統等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值6.5mΩ，中壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時67A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為41A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時268A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 增強型工作模式：適配常規中壓功率轉換拓撲的開關控制需求；
• VeriMOS? II 技術：實現快速開關特性與高能量轉換效率，提升系統功率密度；
• 高可靠性設計：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達 80mJ（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），感性負載開關場景下穩定性優異；
• 環保合規：采用無鉛引腳鍍層，同時滿足無鹵要求，符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5060X 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷，適配高密度、高功率密度的電路板設計；
• 典型應用：
  • 中壓 DC/DC 轉換器：在 120V 級電源轉換拓撲中作為主開關管，平衡耐壓與能量轉換效率；
  • 同步整流電路：適配中壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
  • 中壓電源管理系統：為工業或消費類設備的中壓電源分配、電壓調節環節提供高效開關控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）