威兆半導體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向 100V 中壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術實現超低導通電阻與高效能，憑借 1.00mΩ 極致低阻、125A 大電流承載能力，適用于中壓大電流 DC/DC 轉換器、同步整流、高功率電源管理系統等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值1.00mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值1.07mΩ，中壓場景下傳導損耗近乎極致；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時120A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為78A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時480A，滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 增強型工作模式：適配常規中壓功率轉換拓撲的開關控制邏輯；
• 極致低導通電阻：1.00~1.07mΩ 低阻設計，大幅降低中壓大電流場景下的傳導損耗，顯著提升系統能效；
• VeriMOS? II 技術：實現快速開關特性與高能量轉換效率，兼顧功率密度與可靠性；
• 高可靠性設計：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 126mJ（\(T=25^\circ\text{C}\)），感性負載開關場景下抗沖擊能力優異；
• 環保合規：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5060X 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷，適配高密度、高功率密度的電路板設計；
• 典型應用：
  • 中壓大電流 DC/DC 轉換器：在 100V 級降壓 / 升壓拓撲中作為主開關管，極致低阻大幅降低傳導損耗；
  • 同步整流電路：適配中壓電源的同步整流回路，進一步提升電源轉換效率；
  • 高功率電源管理系統：為工業設備、儲能系統的中壓電源分配環節提供高效開關控制；
  • 大功率負載開關：支持超大電流負載的通斷管理，保障系統功耗與穩定性。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）