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威兆半導體推出的VSP003N10HS-G是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 10V 邏輯電平控制，基于 FastMOS II 技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
核心參數(shù)：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
- 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值100mΩ；
- 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時32A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為20A；
- 脈沖漏極電流（\(I_{pul}\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時240A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

10V 邏輯電平控制：適配 10V 邏輯驅(qū)動電路，簡化系統(tǒng)控制設(shè)計；
FastMOS II 技術(shù)：實現(xiàn)快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，適配高頻應用場景；
高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 144mJ，感性負載開關(guān)場景下穩(wěn)定性強；
環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標準，同時滿足無鹵要求，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

參數(shù)	符號	數(shù)值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	100	V
柵源極電壓	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二極管連續(xù)正向電流	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 125；\(T=100^\circ\text{C}\): 79	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 32；\(T=100^\circ\text{C}\): 20	A
脈沖漏極電流	\(I_{pul}\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 240；\(T=100^\circ\text{C}\): 19	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	144	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 114；\(T=100^\circ\text{C}\): 45.2	W
結(jié) - 殼熱阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.1 / 1.3	℃/W
結(jié) - 環(huán)境熱阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	30 / 38	℃/W
工作 / 存儲溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封裝與應用場景

封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度電路板的空間約束；
典型應用：
- DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在中壓電源轉(zhuǎn)換拓撲中作為開關(guān)管，平衡耐壓與效率需求；
- 同步整流：適配中壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
- 電源管理系統(tǒng)：為中壓電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）

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