威兆半導體推出的VSE025N10HS是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，具備快速開關特性與高可靠性，適配中壓 DC/DC 轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值20mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：28A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為18A；
    • 環境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：8A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為5A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：118A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 快速開關 + 高能量效率：適配高頻開關應用場景，降低開關損耗；
• 100% 可靠性測試：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達 421mJ，感性負載開關場景下穩定性優異；
• 環保合規：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規格為 5000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 中壓 DC/DC 轉換器：在 100V 級降壓拓撲中作為開關管，平衡耐壓與電流承載能力；
  • 同步整流電路：適配中壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
  • 中功率負載開關：用于工業設備、消費電子的中功率負載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）