威兆半導體推出的VST009N15HS-G是一款面向 150V 中高壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封裝，適配中高壓電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值9.0mΩ，中高壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時105A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為74A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：284A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：結合 Osg、Ogd 參數優化，兼顧快速開關與低開關損耗，提升中高壓場景能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 576mJ，感性負載開關穩定性強；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規格為 50pcs/Tube，適配大電流散熱需求的電路設計；
• 典型應用：
  • 150V 級中高壓 DC/DC 轉換器開關管；
  • 工業設備的中高壓電源管理系統；
  • 中功率負載的中高壓通斷控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）