威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向 68V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 高可靠性:通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 196mJ,抗沖擊能力強;
- 大電流承載:TO-220AB 封裝適配大功率場景,連續(xù)電流可達 90A(25℃);
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 68 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±25 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 90 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\),柵極限制) | \(I_{D}\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 90;\(T=100^\circ\text{C}\): 54 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 300 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 196 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 136 | W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+175 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:TO-220AB 直插封裝,包裝規(guī)格為 50pcs/Tube,適配大功率電路板設(shè)計;
- 典型應(yīng)用:
- 68V 級中壓大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的中壓超大電流負(fù)載開關(guān);
- 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關(guān)。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實際以最新版手冊為準(zhǔn)。)
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