威兆半導體推出的VSO013N10MS是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 11.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 12.5mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 12A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 7.5A，滿足小型負載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：48A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時小電流沖擊。

二、核心特性

• 低導通電阻 + 高效率：11.0~12.5mΩ 的阻性表現，搭配快速開關特性，提升中壓電源能效；
• 小封裝集成：SOP8 封裝體積小，適配小型化電路板設計；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓小型 DC/DC 轉換器；
  • 消費電子、物聯網設備的中壓負載開關；
  • 小型中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）