威兆半導體推出的VS3618AD是一款面向 30V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,支持 5V 邏輯電平控制,采用 TO-252 封裝,適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數:
二、核心特性
- 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅動,無需額外電平轉換,簡化電路設計;
- 低導通電阻 + 高可靠性:4.8~5.8mΩ 阻性表現降低傳導損耗,且通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 200mJ,感性負載開關穩定性強;
- 環保合規:滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數 | 符號 | 數值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 30 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續正向電流 | \(I_S\) | 70 | A |
| 連續漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 70;\(T=100^\circ\text{C}\): 50 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 280 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 200 | mJ |
| 最大功耗(結溫約束) | \(P_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 48;\(T=100^\circ\text{C}\): 15.3 | W |
| 結 - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 3.1 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+175 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:TO-252 表面貼裝封裝,包裝規格為 2500pcs / 卷,適配中功率密度電路板設計;
- 典型應用:
五、信息來源
威兆半導體官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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