威兆半導體推出的VS3622AP是一款面向 30V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓大電流 DC/DC 轉換器、同步整流等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值7.4mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值11mΩ，低壓場景下傳導損耗較低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：50A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為20A；
    • 環境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：18A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為10A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 低導通電阻：7.4~11mΩ 的阻性表現，降低低壓大電流場景的傳導損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 20mJ，感性負載開關穩定性強；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷，適配高密度、高功率密度的電路板設計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓大電流 DC/DC 轉換器開關管；
  • 低壓電源的同步整流回路；
  • 工業設備、消費電子的中功率負載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）