威兆半導體推出的VS6808DH是一款面向 20V 低壓場景的共漏極雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 2.0V 邏輯電平控制，采用 SOT23-6L 封裝，適配小型化低壓雙路電源的負載開關、電源通路控制等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：共漏極雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配雙路低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=4.5V\)時 20mΩ、\(V_{GS}=2.5V\)時 26mΩ，適配低邏輯電平驅動；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 2A，滿足雙路小型負載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：24A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時小電流沖擊。

二、核心特性

• 共漏極雙通道 + 2V 邏輯控制：單芯片集成 2 路共漏極 N 溝道 MOSFET，支持 2.0V 低邏輯電平驅動，簡化雙路低壓電路設計；
• ESD 防護：具備 HBM 1.2kV 的 ESD 防護能力，提升電路抗干擾性；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOT23-6L 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷，適配超小型雙路電路板設計；
• 典型應用：
  • 20V 級低壓小型設備的雙路負載開關；
  • 消費電子（如智能穿戴、小型家電）的雙路電源通路控制；
  • 物聯網小型終端的雙路低壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）