據Bridge Economy報導，三星電子與AMD公司達成價值高達4萬億韓元（約合人民幣210.8億元）的HBM3E供貨協議。據悉，此份協議中AMD向三星采購HBM，同時三星則向AMD采購AI加速卡，具體交易數量尚未公布。

三星方面表示，預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存，而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產品容量更是高達36GB。相較于三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上都有超過50%的顯著提升。

此外，HBM3E 12H還采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，確保了12層和8層堆疊產品的高度一致性，從而滿足了當前HBM封裝的需求。該技術在更高的堆疊中將發揮更大作用，有助于解決因薄片導致的芯片彎曲問題。

三星一直致力于降低非導電薄膜（NCF）材料的厚度，并將芯片間的間隙縮小到7微米（μm），同時消除層與層之間的空隙。這些努力使得HBM3E 12H產品的垂直密度比HBM3 8H產品提高了20%以上。