三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng)，明確表示該報道并不屬實。
據(jù)三星電子官方表示，他們無法證實與客戶相關(guān)的具體報道內(nèi)容，并直接指出這一報道是不準(zhǔn)確的。同時，三星電子的一位高管進一步透露，目前HBM3E芯片的質(zhì)量測試工作仍在緊鑼密鼓地進行中，與上月公司財報電話會議時所通報的進展并無任何變化。
此次澄清消除了市場對于三星HBM3E芯片進展的誤解，也再次強調(diào)了公司在產(chǎn)品測試和質(zhì)量保證方面的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度。未來，隨著測試的深入，相信會有更多關(guān)于這款先進芯片的具體信息被逐步披露。
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