據悉，三星電子已針對其高帶寬存儲器（HBM）內存部門進行重大改革，旨在提高公司在此項業務中的競爭力。

據此，現有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內存的開發和優化，而今年三月份新設立的HBM產能與質量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。

該戰略的核心是由DRAM開發副總裁黃成允領銜的全新HBM開發團隊，他們直接向存儲業務部總裁李禎培報告，同時三星已將部分人才調配至此。

作為AI計算芯片的重要組成部分，HBM內存一直備受關注。HBM4內存將在多方面做出創新，包括堆疊層數增加到12或16層，以及Base Die的定制化等，這些都將加大研發難度。

值得注意的是，SK海力士已經將其HBM4內存的12層堆疊版的量產時間提前到了2025年下半年，而三星電子則預計在2026年實現這一目標。

此次三星組建HBM4獨立團隊，旨在解決內存開發難題，縮短開發周期，從而在HBM4節點重新確立競爭優勢，并有望從SK海力士手中奪回市場份額。