表示其HBM2E是第四個工業(yè)時代的最佳內存解決方案，支持需要最高內存性能的高端GPU，超級計算機，機器學習和人工智能系統
2019-08-13 09:28:41
6584 提供的HBM2E內存達到了3.6Gbps的數據傳輸速率，而在和他們的合作過程中我們將速率進一步地推進到了4.0 Gbps。” Rambus IP核產品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro分享說，“此次
2020-10-23 09:38:098976 12月9日，Rambus線上設計峰會召開，針對數據中心的存儲挑戰(zhàn)、5G邊緣計算，以及內存接口方案如何提高人工智能和訓練推理應用程序的性能，Rambus中國區(qū)總經理蘇雷和Rambus高速接口資深應用工程師曹汪洋，數據安全資深應用工程師張巖帶來最新的產業(yè)觀察和技術分享。
2020-12-21 22:15:277695 。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內存領域占據領先地位。目前，各大內存廠商在HBM2E層面已經開始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點來看，2020年
2021-08-23 10:03:282441 近年來，隨著內存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一，以高帶寬內存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
在舊金山舉辦的AI Day活動上，高通正式發(fā)布了兩款新的中端移動處理器，分別是驍龍665、驍龍730。驍龍665是前年推出的主流手機明星級平臺驍龍660的升級版，采用三星11nm LPP工藝制造。
2019-04-13 11:26:132832 三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內存。它是第二代Aquabolt的后繼產品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經表示GDDR7已經在研發(fā)中，但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 ? GPU 市場的顯存選擇 ? 我們再開看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數據中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達則在
2022-12-02 01:16:003484 五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
2023-10-25 18:25:244378 
技術的獨家供應商。 ? 由于汽車對車用芯片更嚴格的品質要求，SK海力士已單獨生產專門用于汽車用途的HBM2E，這也是目前唯一一家將HBM用于汽車的公司。 ? 我們知道HBM芯片對于現今AI拉動的高性能計算和數據中心已成為必須，隨著HBM2E開始用于汽車，滿足智能駕駛不斷產生的計算需求，這
2024-08-23 00:10:007956 產品組合 ? 圖1：Rambus HBM4控制器 ? 中國北京，2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出業(yè)界首款HBM4內存控制器IP，憑借廣泛的生態(tài)系統支持，擴展了其在HBM IP領域
2024-11-13 15:36:401109 
，其性能表現處于頂級水準。 友堅恒天科技專注于三星平臺產品的研發(fā)，是三星在中國最具實力的方案公司。公司主 打的三 星平板電腦方案銷量，連續(xù)多年穩(wěn)居第一。公司定位于中高端產品的研發(fā)，具有多年 的嵌入式產
2017-06-30 11:00:32
4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數據傳輸速率和帶寬提高了33%，使數據中心服務器的主內存性能達到了一個新的水平。該產品的延遲和功耗均達到業(yè)內
2023-02-22 10:50:46
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
三星打破上網本既有模式 性能尺寸接近傳統筆記本CNET科技資訊網7月1日國際報道 Nvidia證實，三星將推出一款采用其Ion芯片組的上網本，打破這類產品既有的模式。 Nvidia筆記本電腦產品部門
2009-07-01 21:47:27
Altera公司近期宣布，開始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA，比競爭解決方案高出一個速率等級
2012-05-14 12:38:53
`S5P6818 開發(fā)板是三星 2015 年推出的八核處理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 處理器，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設計，外加強大的 3D 性能及視頻處理能力
2017-12-04 11:27:25
SoC和MCU，NXP也由此成為三星MCU代工的首個客戶。 2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同時即表示，MCU將是eMRAM的主要應用方向之一，未來將繼續(xù)擴大其嵌入式非易失性內存產品，其中
2023-03-21 15:03:00
級產品。 2、友堅是三星AP事業(yè)部國內重要合作伙伴,是三星指定平板產品的IDH 3、CPU:S5P4418 三星四核 4、內存：1G RAM+4G eMMC 5、安卓4.4系統本批次開發(fā)板將新增四大
2016-07-01 14:04:09
，收購原裝字庫，回收三星CPU,收購三星拆機字庫，回收三星原裝IC,有貨速聯系，型號如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
：提供帶有自主設計外殼的整體解決方案，外殼設計時尚美觀； 三星Cortex-A8處理器核心，性能強、速度快、功耗低； Android智能操作系統，上萬種軟件無限下載及應用；同時具備內置Wi-fi和內置3G
2011-03-30 14:30:37
如何實現高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
北京時間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息，展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布，基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機E1282(GT-E
2012-11-09 15:43:30
`S5P6818 開發(fā)板是三星 2015 年推出的八核處理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 處理器，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設計，外加強大的 3D 性能及視頻處理能力
2017-11-17 11:33:00
全球范圍內成為可靠創(chuàng)新的技術伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:36:06
全球范圍內成為可靠創(chuàng)新的技術伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:38:20
全球范圍內成為可靠創(chuàng)新的技術伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32
全球范圍內成為可靠創(chuàng)新的技術伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330（3G模塊）的整合，預計明年1月將可以向整個亞太地區(qū)進行三星AP的平板電腦方案的推廣。
2012-12-21 19:28:08
我們正在調試基于三星4412的MFC（視頻硬解碼）但是移植調試不出來如果哪位大俠成功調試過類似的產品（210或4412） 可以一起探討一下
2014-01-16 10:21:24
蘋果/三星高端智能手機快充識別IC-MA5887.MA5887是一個高性能的解決方案“快速充電”機制,加快充電時間.MA5887嵌入式自動充電器檢測其符合USB電池充電規(guī)格（BC）版本1.2,和蘋果
2016-10-13 14:25:00
隨著網絡和數據中心帶寬需求的日益提升，針對高性能內存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統開發(fā)，以經濟高效的方式實現內存方案的性能和效率已經成為項目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31
隨著HarmonyOS NEXT的正式推出，鴻蒙原生應用開發(fā)熱度高漲，數量激增。但在三方應用鴻蒙化進程中，性能問題頻出。為此，HarmonyOS NEXT推出了一整套原生頁面高性能解決方案，包括
2025-01-02 18:00:13
三星將向Rambus支付9億內存專利授權費以達成和解
韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權官司達成和解協議，三星公司將在五年之內逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:361015 作為先進內存技術的世界領導者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計算）、更先進的圖形處理、網絡系統和企業(yè)服務器等應用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 12月21日，IBM宣布，將選用三星7nm EUV代工其Power11處理器，后者將用于藍色巨人的Power系統、IBM Z、LinuxOne、高性能計算以及云服務解決方案中。
2018-12-24 10:22:135560 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固態(tài)存儲協會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E，針腳帶寬、總容量繼續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè)，集成這些技術可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:564565 相比GDDR顯存，HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，據外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 顯卡的顯存這一路走來都是GDDR，但是這兩年HBM成了大明星，最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。 由于三星等公司的努力，HBM在過去幾年來逐漸展現穩(wěn)步成長。例如三星上半年發(fā)布了稱為
2020-08-19 14:38:051440 Alchip 5nm設計將利用高性能計算IP產品組合，其中包括一級供應商提供的“同類最佳” DDR5，GDDR6，HBM2E，HBM3，D2D，PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552763 瓴盛科技首席營銷官成飛介紹，此次推出的芯片是基于世界頂尖的晶圓廠Samsung Foundry 11nm FinFET的工業(yè)制造，具備低功耗、高能效的領先競爭優(yōu)勢；同時基于異構處理器設計，豐富式架構讓軟件工程師在系統軟件實施層面可以做到更好的功耗優(yōu)化。
2020-09-04 16:26:362613 16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標準型進行了一些更新來提升性能，作為中代產品，能提供更高的時鐘速度，更高的密度（12層，最高可達24GB）。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內存帶寬，HBM2E和GDDR6已經成為了設計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:133266 
DesignWare HBM2E PHY IP 可提供每秒 460 GB 的聚合帶寬，能夠滿足先進 FinFET 工藝 SoC 對海量計算性能的要求。HBM2E IP 是新思科技全面內存接口 IP
2021-02-14 09:22:001151 三星昨日宣布了一項新的突破，面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術，據介紹，新架構可提供兩倍多的系統性能，并將功耗降低 71%。 在此前，行業(yè)內性能最強運用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 官方發(fā)布 近日，三星推出了專為下一代自動駕駛電動汽車應用的高端車用內存系列解決方案。新產品陣容包括了適用于高性能車載信息娛樂系統的256GB PCIe Gen3 NVMe球柵陣列(BGA)封裝
2021-12-21 11:43:222358 近日，據韓媒報道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經各大
2022-04-18 18:21:582244 隨著臺積電曝光2nm制程的進展后，三星緊追其后也宣布了關于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產時間也定在了2025年，跟臺積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 SoC 設計人員和系統工程師在內存帶寬、容量和內存使用均衡方面面臨著與深度學習計算元素相關的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數據速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應用程序，每種應用程序都有其自身的優(yōu)點，但
2022-07-30 11:53:503296 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經表示GDDR7已經在研發(fā)中，但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數據中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達則在部分
2022-12-02 07:15:031989 HBM2E（高帶寬內存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統（如內存子系統、互連總線和處理器）結構復雜，驗證內存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
據韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:031257 7月5日，在三星每周三舉行的員工內部溝通活動期間，三星電子負責半導體業(yè)務的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內存 (HBM) 產品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關該公司內存競爭力正在下降的擔憂。
2023-07-10 10:56:031421 HBM3E內存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:081635 
為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數據速率，支持HBM3內存標準的未來演進 實現業(yè)界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
Gbps 的性能，可支持 HBM3 標準的持續(xù)演進。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數據速率，Rambus HBM3 內存控制器的數據速率提高了 50%，總內存吞吐量超過 1.2 TB/s，適用于推薦系統的訓練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數據中心工作負載。
2023-12-07 14:16:061362 “隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內領頭羊SK海力士，后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產。
2024-03-25 11:42:041287 據最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 據業(yè)內透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 三星方面表示，預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存，而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產品容量更是高達36GB。
2024-04-24 14:44:381196 業(yè)內評論指出，三星HBM之所以出現問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異，導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918 近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 三星電子近期宣布，其與全球多家合作伙伴在高帶寬內存（HBM）產品的供應測試上進展順利。該公司表示，將繼續(xù)致力于提升所有產品的質量和可靠性，確保為客戶提供最優(yōu)質的解決方案。
2024-05-28 09:46:40766 英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內存）質量測試，標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181268 近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內存（HBM）產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產品即將進入規(guī)模化生產階段，預計在本季度內正式向
2024-07-18 09:36:591401 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產工作，并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（新一代高帶寬內存產品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產品主要面向英偉達H200系列應用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預示著更先進技術的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 近日，知名市場研究機構TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281404 三星電子近期發(fā)布預測，指出全球HBM（高帶寬內存）需求正迎來爆發(fā)式增長。據三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今年預測的120億GB實現翻番，這主要得益于人工智能技術的迅猛發(fā)展對高性能內存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023 近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲，對其HBM內存的產能規(guī)劃進行了調整。據韓媒報道，三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓，這一調整反映了半導體行業(yè)當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 方式獲得三星顯示的一座大樓，并計劃在三年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，對高性能內存有著迫切需求，而三星的定制化HBM4內
2024-11-13 11:36:161756 三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠，以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現有封裝設施，進一步提升三星電子在半導體領域的生產能力。
2024-11-14 16:44:351203 近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內存
2024-11-25 14:34:171028 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據悉，該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規(guī)模生產和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據推測，三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產品相比，內存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現已
2025-05-26 10:45:261307 電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）根據韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時，美光已經為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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工商網監(jiān)
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