三星出貨EUV級DDR4 DRAM模組

3月25日消息三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經出貨100萬業界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。

IT之家了解到，三星是第一個在DRAM生產中采用EUV來克服DRAM擴展方面的挑戰的廠商。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。

從第四代10nm級（D1a）或高度先進的14nm級DRAM開始，EUV將全面部署在三星未來幾代DRAM中。三星預計明年開始批量生產基于D1a的DDR5和LPDDR5，這將使12英寸D1x晶圓的生產效率提高一倍。為了更好地滿足對下一代高端DRAM日益增長的需求，三星將在今年下半年內在韓國平澤市啟動第二條半導體制造線的運營。

EUV設備在半導體競賽中不可或缺

為了應付半導體制程微縮，因此有了EUV設備與技術。使用EUV 技術后，除了同樣制程的情況下，可將電晶體密度提升，同頻率下功耗降低，且因為制程微縮，使得單位位元數產出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。

不過EUV設備昂貴，過去DRAM價格居高不下的時期，各家DRAM廠商擴大產能都來不及，暫時不考慮目前制程導入EUV技術。

DRAM市場供給過剩導致價格不斷下跌的情況持續。DRAM廠雖然盡量減產，但仍然無法讓價格明顯止跌。因此，唯一能維持獲利的方法就是微縮制程來降低單位生產成本。不過，DRAM制程向1z 納米或1α 納米制程推進的難度愈來愈高，隨著EUV量產技術獲得突破，將可有效降低DRAM的生產成本。

三星采用EUV 技術的1z 納米DRAM，量產初期將與三星晶圓代工共用EUV設備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM微影技術會開始向EUV的方向發展。

三星的1z 納米屬于第三代10納米級的制程，10納米級的制程并不是10納米制程，而是由于20納米制程節點之后的DRAM制程升級變得困難，所以DRAM記憶體制程的線寬指標不再那么精確，于是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等制程節點之分。簡單來說，1x 納米制程相當于16 到19 納米，1y 納米制程相當于14到16納米，1z 納米制程則是大概為12到14納米制程的等級，而在這之后還有1α 及1β 納米制程節點。

由于，先進制程采用EUV微影技術已是趨勢，隨著制程持續推進至5納米或3納米節點之后，預期對EUV的需求也會越來越大，EUV設備已將成為半導體軍備競賽中不可或缺的要項。

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