三星否認MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
韓國媒體NEWSIS于3月14日曝出三星電子否認路透社其將轉(zhuǎn)用MR-RUF方式生產(chǎn)高帶寬存儲器（HBM）之推測。
實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導(dǎo)電薄膜）至各DRAM層之間。
隨著DRAM層數(shù)的增多，晶圓厚度需相應(yīng)減小但所需力度卻增大，可能導(dǎo)致翹曲加劇。因此，據(jù)部分分析人士觀點，SK海力士采用的MR-RUF方式更有助于控制翹曲問題。
此前路透社報道提及，三星HBM3芯片良率僅10～20％，遠遜于SK海力士的60～70％，為此，三星或?qū)で蟛少徣毡酒髽I(yè)提供的MR-RUF模具塑料。
對此，三星明確表明路透社此報道不實，公司正采用NCF方案尋找最優(yōu)解。坊間認為，由于三星在NCF材料研發(fā)及產(chǎn)量擴大方面已投入大量資金，故短期內(nèi)并不宜轉(zhuǎn)換為MR-RUF。IT之家曾報道，三星擬將MR-RUF技術(shù)運用于3DS RDIMM產(chǎn)品之中。
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