SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 ，2019年12月提升為開發制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關人士表示：SK海力士首席執
2019-12-07 00:53:004758 半導體產業歷經過去一年多低迷期后，近日芯片價格終于出現反彈跡象，令券商看好三星電子及SK海力士（SK Hynix）兩大韓國芯片業者今年獲利好轉。 券商分析預計，今年第一季DRAM及NAND
2020-01-05 00:15:004400 2020年2月，固態存儲協會(JEDEC)對外發布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 三星電子和SK海力士在2012年第四季度繼續引領全球DRAM市場，它們兩家公司在該領域的市場份額之和達到67%。
2013-02-20 18:11:02947 為突破半導體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細制程技術；SK海力士（SK Hynix）則準備以史上最大規模的投資計劃應戰。
2016-01-26 08:19:58849 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸。據了解，合肥長鑫開出現有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。
2016-12-26 10:12:562894 
根據2016年第三季度的統計，三星電子在DRAM存儲器領域已拿下半壁江山，達到驚人的50.2%，而另一家韓國大廠SK海力士則占了24.8%的市場份額。而在NAND FLASH這一塊，三星電子占全球市占率的36.6%，SK海力士則占了10.4%。
2016-12-29 10:09:074436 
因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導體營業利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。
2017-02-13 08:30:09753 Gartner發布的2018全球半導體市場營收報告顯示，按全年營收計算，三星、英特爾、SK海力士是當今全球三大半導體巨頭，高通則排名第六。 三星電子得益于DRAM內存芯片市場的發展，繼續穩固了全球
2019-01-20 11:41:401914 而對于來勢洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士隨即表示，將推出相類似的產品以抗衡英特爾。
2019-05-06 15:03:497726 日前，據韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產中導入EUV技術，以建立更高的技術壁壘。對此，美光（Micron）企業副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452742 。 ? 圖源：SK海力士官網 ? SK海力士將這一進展定義為：意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談論EUV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關聯技術。從原理上說，光刻技術就是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。近半個多世紀，半導
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據市場調研機構Omdia的研究報告，隨著全球需求復蘇，韓國內存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結束減產。 ? Omdia在報告中指
2024-04-12 00:05:006369 
步伐。據韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導體大廠
2018-10-12 14:46:09
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
研發總投資為359.21億美元，成長6%，平均占營收比重13%。相較之下，三星獲利豐厚，但研發投資卻顯得相對保守。SK海力士對2019年的展望SK海力士認為2019年存儲器市場變動不大，由于半導體市場
2018-12-25 14:31:36
價格迅速下跌。IC Insights預測，隨著更多的產能上線，供應限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據報道，三星和SK海力士已推遲了部分擴張計劃，原因是預計客戶需求將出現疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
與DDR2供給吃緊帶動整體平均售價上揚。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨立出來
2008-05-26 14:43:30
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
。韓媒分析，一旦中國決定對DRAM三巨頭開罰，韓國產業將受到巨大的影響，或成中美貿易摩擦的受害者之一。2018年11月16日，中國國家市場監督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對三星、海力士、鎂光三
2018-11-22 14:49:22
大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應市場的需求。目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進到96層，2019年初便會進展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在
2018-12-24 14:28:00
，鎂光，南亞，爾必達，華邦，三星samsung，海力士SK hynix，現代hyniy，飛索 Spansion芯片，展訊SPREADTRUM，愛特梅爾ATMEL，英特爾intel等系列芯片...長期專業回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-08-02 17:44:42
全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
AMD則是已經在不斷宣揚HBM2的優勢，并且專門為其設置HBCC主控，具備更加強大內存尋址性能。AMD已經完全押寶在HBM2上了，HBM3的應用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導體巨頭SK海力士提供，即將發布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511840 前不久我們曾報道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:272175 據悉，在今年上半年DRAM價格恐怕很難減下來，還會繼續保持上漲趨勢。到2018下半年是否增長具體還的看三星、sk海力士的實際增產情況。
2018-01-18 15:24:451011 三星今天宣布，開始生產針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:002585 DRAM價格飆漲帶動2017年全球半導體產值沖破4000億美元，國際半導體產業協會SEMI預估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續擴展DRAM產能下，2018年DRAM供給端產能可能再
2018-08-27 17:05:532149 全球DRAM價格在2017、2018年連兩年大幅上揚，對DRAM買方市場形成不少采購壓力，但如今在三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）及SK海力士（SK
2018-09-10 16:30:321724 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后，存儲器產業也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產上，也在研究導入EUV技術。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026 逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y)制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制
2018-11-12 18:04:02533 中國政府2018年5月31日正式發起了對三星，SK海力士及鎂光的反壟斷調查，若指控成立，根據三家企業自2016年至今在中國市場的銷售行為，最高將面臨80億美元罰款。
2018-11-19 14:13:454220 為了在低迷的環境中實現逆勢增長，SK海力士未來將持續專注于高附加值產品和技術，以應對瞬息萬變的市場環境。比如，擴大16Gb DDR4產品的客戶應用，以增加服務器客戶對高密度DRAM模塊的采用。同時
2019-01-29 14:32:258442 
7月15日業界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產。
2019-07-17 10:03:303501 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續低迷，以及日韓貿易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產線的投資之后，也宣布該公司的生產調整計劃。
2019-07-26 16:56:103275 
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 在推進DRAM的制造技術上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541739 本月DRAM現貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態，極大影響了市場的供需狀態。相比2個月前，內存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導體工廠SK海力士并未打算下調產能。
2020-03-04 16:12:14897 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態，極大影響了市場的供需狀態。相比2個月前，內存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導體工廠SK海力士并未打算下調產能。
2020-03-05 08:51:192548 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 最新消息，據韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！ 雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出售含有美國設備或
2020-09-11 15:54:1718654 隨著特朗普政府加強對華為的制裁，三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機，來了！ 三星、SK 海力士將斷供華為 近日，根據朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道，三星和 SK 海力士
2020-09-15 16:41:402822 目前，三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產品。據報道，SK海力士大約有10%的銷售額來自華為，而華為同樣是三星重要的客戶之一。
2020-09-23 10:20:342432 及資料中心對伺服器記憶體需求升溫，DRAM市場可望在上半年復甦。 三星并指出，目前晶圓代工廠急于滿足汽車制造商需求，很多代工廠都呈現產能滿載情況，影響代工廠對DRAM及NAND生產進度，反而衝擊智慧手機及平板的出貨速度。 SK海力士并預期，隨著資料中心伺服器及5G智慧手機增加使
2021-02-01 12:43:001296 韓國半導體已經在全球半導體產業鏈當中占據了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年（1H20）全球十大半導體銷售排名中，韓國廠商就占了兩個名額，分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。
2020-11-19 15:53:5010094 內存價格還在繼續下降，對于三星、SK海力士等廠商來說，這也刺激了相應的出貨量。 TrendForce集邦咨詢公布了2020年第三季度全球DRAM內存營收情況，第三季度DRAM總產值174．6億美元
2020-11-23 14:30:431837 11月23日消息，據國外媒體報道，受三星電子和SK海力士上漲拉動，韓國股市周一收盤創新高。
2020-11-23 16:26:372512 三星宣布新的HBM2內存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內存芯片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 數據顯示，四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%，達176.5億美元。其中，三星電子市占率為42.1%，銷售額環比增長3.1%至74.4億美元。SK海力士市場份額為29.5%，銷售額環比增長5.6%至52億美元。
2021-03-12 09:45:342045 SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產品HBM31，公司不僅又一次創造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219 據業界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 據dram領域的調查企業trend force稱，去年第四季度在dram領域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域，三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據了第3位。
2023-08-17 09:38:581100 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構建和擴張數據中心的企業用ssd （ssd）和服務器dram。據悉，對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393 sk海力士負責市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務器至少需要500gb的hbm高帶寬內存和2tb的ddr5內存。人工智能是拉動內存需求的強大力量。”sk海力士預測，到2027年，隨著人工智能的發達，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493 12月18日，傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入，如三星電子預計投注27萬億韓元，SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元，增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35974 數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌，SK海力士因應人工智能芯片需求的增長，尤其是高帶寬內存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競爭對手三星電子，躍居韓國第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221 三星電子和SK海力士將聯合投資622萬億韓元，推進“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:481199 近日，據報道，三星電子正計劃大規模擴大其HBM（高帶寬內存）產能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:091210 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現已提前調整產量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 趨勢，半導體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量，以加速向更先進的10納米第四代（1a）和第五代（1b）版本的過渡。
2024-03-06 10:49:491263 三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之，因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
2024-03-14 11:00:141518 實現HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 現如今，SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應陣營。據悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:231383 在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 三星近期在Memcon 2024行業會議中聲稱，計劃于今年底以前實現1c nm工藝的量產。另據行業消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實現1c納米DRAM內存的商業化生產。
2024-04-09 16:53:051425 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內存（HBM）芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術的蓬勃發展，極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發進程，預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 業界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存，下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導致近期DDR3價格飆漲，最高漲幅達二成，且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 業內評論指出，三星HBM之所以出現問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異，導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產并供應DDR3內存，轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563 根據行業預估，三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM產量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971 在DRAM和NAND芯片的生產上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能，進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 值得注意的是，早年對HBM技術表現出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發了HBM及HBM2系列產品，然而銷售初期市場反應冷淡，導致持續虧損。
2024-05-29 15:50:00932 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄，顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 在全球半導體產業風起云涌的當下，SK海力士再次展現出其前瞻性和決斷力。據行業內部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在半導體存儲行業，三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術和產能占據市場的重要地位。然而，近期韓媒援引業內人士的消息稱，這兩大巨頭的通用DRAM（動態隨機存取存儲器）產線開工率目前維持在80%~90%的水平，顯示出市場供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244 在科技日新月異的今天，DRAM（動態隨機存取存儲器）作為計算機系統中的關鍵組件，其技術革新一直備受矚目。近日，據業界權威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力，尤其是SK海力士，作為韓國DRAM行業的領軍企業，正嚴陣以待，積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:591061 在全球人工智能（AI）技術持續升溫的背景下，韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調整生產策略，以應對日益增長且多樣化的存儲需求。據韓國媒體最新報道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248 在半導體技術的浩瀚星空中，三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器（HBM）晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道，這兩家行業巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之旅，其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術，這一變革預示著HBM制造領域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存（HBM）的產能擴張計劃。據預測，至2025年，這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位，推動年度總產量翻番至54萬個單位，實現驚人的105%年增長率，標志著HBM產能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771 隨著三星電子定于10月8日發布第三季度初步財務報告，市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK海力士因在高帶寬內存（HBM）領域的強勁表現，預計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:351552 韓國交易所近日發布的數據顯示，三星電子與SK海力士的市值份額差距已經縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992 的領先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:201231 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存（HBM）的DRAM產能，目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310 增長42.5%至267.29億美元，環比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是，在2025年一季度，SK海力士憑借在HBM領域的絕對優勢，終結三星長達四十多年的市場統治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經開始
2025-05-06 15:50:231221 
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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