據韓國媒體報道，SK海力士計劃于2026年起量產第七代高帶寬存儲器HBM4E，這比原定計劃提早了一年時間。高級HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook日前在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上透露了此信息。

他進一步指出，盡管HBM家族產品通常以每兩年一次的速度更新換代，但自第五代產品HBM3E以來，其產品周期已經縮短為一年。

據業內人士預計，HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現更高的堆疊層數。

值得注意的是，混合鍵合技術旨在通過消除芯片間的凸塊來增加DRAM的堆疊數量。SK海力士曾表示，將使用Advanced MR-MUF（先進大規模回流模制底部填充）技術直至HBM4。

Kim Kwi-wook表示，他們正在研究如何將混合鍵合技術與主流工藝相結合，但目前的良率并不理想。若客戶需求超過20層的產品，由于厚度限制，他們或需探索新的工藝路徑。

業界觀察家預測，SK海力士有望首次將10納米制程的第六代（1c）DRAM應用于HBM4E，從而大幅提升存儲容量。