減少資本支出。該公司計劃在服務器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應對市場狀況。 DRAM價格下降11%，NAND價格下降21% 隨著2018下半年內存需求放緩，供應短缺得到解決，內存市場環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬
2019-01-27 00:35:00
9508 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 據韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業(yè)務重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實現從開發(fā)、制造，以及業(yè)務的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士將在2020年消費電子展（CES）上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:394178 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內存?zhèn)髅髂觊_始量產，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 09:06:351594
SK集團（SK Group）日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士（SK Hynix）有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至晉升為副會長，顯示SK海力士在集團內的地位大幅上升。業(yè)界普遍認為，這次人事
2016-12-30 09:10:391434 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。從現場給出的技術演示來看，4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似，只不過外圍電路（PUC，Peri.Circuits）在存儲單元下方，好處有三點，一是芯片面積更小、二是處理工時縮短、三是成本降低。
2018-08-09 10:46:174284 SK海力士今天正式發(fā)布了最新款的企業(yè)級SSDPE8000系列，包括PE8010、PE8030、PE8111三款型號，這也是其首款PCIe4.0SSD，無論存儲密度、容量還是性能都是世界一流的，甚至
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 英特爾同意以大約90億美元將其Nand存儲業(yè)務出售給韓國的SK海力士，以專注于其主要業(yè)務。
2020-10-20 10:16:423366 根據南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務之后
2020-11-11 10:12:403651 5月30日消息，據國外媒體報道，在獲得美國和歐盟的批準之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務的交易，也已獲得了韓國監(jiān)管機構的批準。 ? 從韓國媒體的報道來看，韓國公平貿易委員會較快批準
2021-05-31 10:00:074381 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發(fā)燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 電子發(fā)燒友網綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:003509 大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進行了對比，驚訝的發(fā)現竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 14:15:111317 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內存芯片密度是全球最高，功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產10納米級D-RAM和72層NAND閃存，明年業(yè)績仍將向好。
2017-10-27 09:15:15754 比，存儲芯片巨頭SK海力士和美光科技在2017年的排名將會大幅提升。受益于DRMA內存芯片和NAND閃存芯片市場需求大幅提升的推動，上述兩家公司的排名均將上升兩位。”
2017-12-20 15:40:481711 今年的閃存技術峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:287883 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數多）
2018-08-12 10:55:154453 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士今年第一季財報和當初預期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術、調整生產線應對市場，預計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 SK海力士宣布，已經全球第一家研發(fā)成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:544098 .據日經新聞報道，韓國內存大廠SK海力士今日表明，為了應對日本對韓國部分關鍵半導體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產量將比2018年時減產15％。
2019-07-26 15:39:413080 目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 2019年智能手機的閃存容量進一步提升，中高端手機基本上是128GB起步，高端會上512GB，個別產品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去，明年1TB容量的手機會更多，因為SK海力士現在已經開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商，堆棧層數達到了128層。
2019-11-21 08:53:08776 SK海力士作為閃存巨頭，在今年8月份重新返回了消費級SSD市場，不過首款產品Gold S31比較平淡，很常規(guī)的2.5英寸SATA產品，最大容量1TB。
2019-12-30 08:52:553280 根據消息報道，韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態(tài)硬盤，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487 12 月 30 日訊，SK 海力士作為閃存巨頭，在今年 8 月份重新返回了消費級 SSD 市場，SK 海力士此次準備了兩款新的 SSD，一個是 Gold P31，另一個則是 Platinum P31，都采用 PCIe 形態(tài)，并支持 NVMe。
2019-12-31 14:03:081045 根據消息報道，SK 海力士在CES 2020上發(fā)布了發(fā)布了兩款M.2 PCI NVMe固態(tài)硬盤，分別名為Gold P31和Platinum P31，都采用了128層4D NAND閃存模塊，主控也是SK 海力士自己的。
2020-01-08 15:04:223656 在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產的96層堆疊4D TLC NAND閃存顆粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向讀取密集型應用，PE8030則為讀寫混合應用而優(yōu)化。
2020-04-08 09:06:303418 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:194475 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。 ? 據，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術
2020-12-14 15:55:321786 SK海力士作為全球半導體領頭企業(yè)之一，旨在強化其NAND閃存解決方案相關競爭力，發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng)，進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:012363 據路透社當地時間19日報道援引知情人士稱，英特爾正準備將NAND芯片業(yè)務，以近100億美元的價格，出售給SK海力士。若交易達成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內存市場的全球第二大廠商，并進一步縮小與行業(yè)領頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 據報道，英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務出售給韓國公司SK海力士，價格約90億美元。英特爾正在采取全面措施，專注于主營業(yè)務的經營。
2020-10-20 14:33:352138 2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當地時間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議，根據協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務。
2020-10-20 16:51:392925 
10月20日，SK海力士和英特爾已經達成協(xié)議，前者將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。 本次收購包括英特爾NANDSSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)務，以及其在中國大連的NAND閃存制造
2020-10-20 17:18:287473 一錘定音，韓國當地時間10月20日，SK海力士正式宣布將以90億美元的價格，全盤收購老牌存儲大廠英特爾NAND閃存以及存儲器業(yè)務。
2020-10-21 09:13:362974 韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協(xié)議。根據協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內存與儲存事業(yè)，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易，超過三星
2020-10-21 17:26:322248 另一方面，對于SK海力士來說，此次收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務也有跡可循。作為全球第二大存儲芯片廠家，雖然其DRAM產品市占率僅次于三星電子，但在NAND方面其市場排名卻還比較靠后。
2020-10-22 11:25:576438 據國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務！ SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務的消息，SK海力士在官網上表示，兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:152718 10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議，根據協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:168594 近日閃存芯片行業(yè)又現巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 據英文媒體報道，上月 20 日，SK 海力士在官網宣布，他們同英特爾達成了最終協(xié)議，將斥資 90 億美元收購英特爾的 NAND 閃存及存儲業(yè)務。 但消息人士日前表示，NAND 閃存目前的市場行情并不
2020-11-03 15:08:332014 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務出售給了SK海力士，業(yè)內嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務出售給了SK海力士，業(yè)內嘩然。 盡管外界批評SK海力士買虧了、且目前閃存處于價格下行軌道，但后者似乎決心已定，并不
2020-11-05 09:41:541673 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339 據報道，第三季度財報優(yōu)于市場預期的SK海力士計劃在五年內將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調，決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務，在NAND市場占據領先地位。
2020-11-05 12:17:422079 SK海力士在聲明中稱，已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內存和存儲業(yè)務。此次收購包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進行，最終交易要到2025年3月份才會完成。
2020-11-11 14:53:022528 據悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務，包括固態(tài)硬盤業(yè)務、NAND閃存芯片產品和晶圓業(yè)務、英特爾位于中國大連的生產工廠，但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說，剝離非核心業(yè)務將有助于其解決芯片技術困境。
2020-11-16 15:04:573105 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:233708 雖然已經將閃存業(yè)務出售給SK海力士，但是Intel還會繼續(xù)發(fā)展存儲芯片。日前的存儲峰會上，Intel推出了一系列SSD硬盤，包括670P、傲騰H20等，首發(fā)了144層TLC、QLC閃存，涵蓋消費級、企業(yè)級等多個市場。
2020-12-17 10:11:282736 SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡稱CFIUS)的許可！
2021-03-19 14:19:222540 去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:572342 SK海力士今日宣布，已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段。
2021-12-30 10:09:131073 SK海力士之前以90億美元收購了Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務，隨后于美國成立了公司Solidigm，這次的P5530硬盤是兩家公司首個共同開發(fā)的新企業(yè)級硬盤。
2022-04-06 18:17:321882 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務
2022-05-19 14:32:534080 今年8月初，SK海力士旗下NAND閃存解決方案提供商Solidigm在閃存峰會上展示了全球首款正在研發(fā)的PLC（五層單元）SSD。與QLC（四層單元）SSD相比，PLC SSD可在每個存儲單元內存儲5bit的數據。
2022-08-19 10:27:541506 SK海力士將在清州市新建NAND M17產線，以提高NAND產品產能。SK海力士原計劃在明年年初開始建設，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 該產品與 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研發(fā)的 SSD 主控，然而獨特之處在于其搭載了 PCIe Gen5 技術及 238 層的 TLC NAND 閃存。
2024-03-20 14:13:011783 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 當前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數來增加容量上取得顯著進展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
2024-05-07 10:33:03912 SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數已經成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案，具備行業(yè)內最高性能且專門針對端側AI手機進行優(yōu)化。”此外，公司還強調，“借助此產品，我們將在NAND閃存領域引領AI存儲器市場，這也是繼HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑。”
2024-05-09 09:30:331063 今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破，他們成功研發(fā)出了面向端側（On-Device）AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產品的推出，標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 在智能手機技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業(yè)潮流，成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側AI手機優(yōu)化的閃存產品，無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
2024-05-11 10:14:191068 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473 據最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略，考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，韓國權威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程，并且已經設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產。
2024-08-01 15:26:421322 韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作，并預計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐，引領行業(yè)技術前沿。
2024-08-02 16:56:111743 在最近的FMS 2024峰會上，SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力，率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術領域的領先地位，也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。
2024-08-10 16:52:083027 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄，為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231 限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品，該產品在容量和層數上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:551096 據外媒最新報道，為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業(yè)內消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13858 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509
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工商網監(jiān)
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