SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
據業內消息人士透露,SK海力士的管理層已作出決策,將在今年年底前實現這一產能增長。最初,該公司的目標是到去年第四季度將產能提升至14萬片,但近期決定進一步增加3萬片,以滿足市場需求。從年產能的角度看,這意味著從2023年的3萬片,到2024年的10萬片,再到今年的17萬片,實現了顯著的產能擴張。
市場研究機構Trend Force預測,SK海力士今年第四季度的DRAM晶圓投入量將達到每月50萬片。基于這一預測,HBM DRAM將占據SK海力士總DRAM產量的34%。
在增產計劃中,SK海力士將主要增加用于第五代HBM(HBM3E)的10納米級第五代(1b)DRAM的產量。這一積極擴張策略的背后,是今年HBM訂單的蜂擁而至。除了AI芯片巨頭英偉達外,最近因與谷歌半導體合作而備受矚目的博通也對SK海力士的HBM產品表現出了濃厚興趣。
一位行業專家表示:“除了英偉達和博通之外,還有許多AI客戶正在尋求與SK海力士的合作。面對這種市場趨勢,SK海力士不得不選擇在今年大幅提升產量,以滿足客戶的旺盛需求。”
-
DRAM
+關注
關注
41文章
2390瀏覽量
188941 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
1006瀏覽量
41495 -
HBM
+關注
關注
2文章
431瀏覽量
15808
發布評論請先 登錄
KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!
SK海力士HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝
SK海力士發布未來存儲路線圖
SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士HBM技術的發展歷史
SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者
HBM重構DRAM市場格局,2025年首季DRAM市占排名
SK海力士增產HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求
評論