SK海力士宣布，已經全球第一家研發(fā)成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現(xiàn)了業(yè)內最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應用了一系列創(chuàng)新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。

同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業(yè)內存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產的比特容量也比96層堆疊增加了40％。

雖然包括SK海力士在內多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存，但這是TLC閃存第一次達到單顆1Tb。TLC目前占閃存市場規(guī)模的超過85％，可靠性和壽命都優(yōu)于QLC，當然被其取代也是早晚的事兒。

其他規(guī)格方面，新閃存可以在1.2V電壓下實現(xiàn)1400Mbps的數(shù)據傳輸率，可用于高性能、低功耗的手機存儲、企業(yè)級SSD。

SK海力士的4D NAND閃存技術是去年10月份官宣的，所謂4D是指單芯片四層架構設計，結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，后者是指制造閃存時先形成外圍區(qū)域再堆疊晶胞，有助于縮小芯片面積。

利用這種架構設計，SK海力士在從96層堆疊到128層堆疊時，雖然層數(shù)增加了三分之一，但是制造工藝步驟減少了5％，整體投資也比之前減少了60％。

SK海力士將在今年下半年批量出貨128層1Tb 4D閃存，并開始一系列相關產品研發(fā)：

明年上半年開發(fā)下一代UFS 3.1存儲，將1TB大容量手機所需的閃存芯片數(shù)量減半，同時封裝厚度控制在1毫米左右，功耗降低20％。

明年上半年量產2TB消費級SSD，自研主控和軟件。

明年發(fā)布16TB、32TB NVMe企業(yè)級SSD。

SK海力士還透露，正在研發(fā)176層堆疊的下一代4D NAND閃存。